| PART |
Description |
Maker |
| SRD00212Z SRD00212 Q62702-P3010 Q62702-P784 Q62702 |
GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter 砷化镓红外Lumineszenzdiode砷化镓红外发射器
Ternary PIN Photodiode in TO-Package with Integrated Optics
From old datasheet system
|
SIEMENS A G
Infineon Technologies AG
SIEMENS AG
SIEMENS[Siemens Semiconductor Group]
|
| SFH40903 SFH409 SFH409-2 |
GaAs-IR-Lumineszenzdiode
|
OSRAM GmbH
|
| LD271LH LD271 LD271H LD271L |
INFRARD EMITTER
GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter
|
Siemens Group
SIEMENS[Siemens Semiconductor Group]
|
| Q62703-Q1090 SFH483E7800 SFH483 |
GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode GaAlAs Infrared Emitter 1 ELEMENT, INFRARED LED, 880 nm
GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode GaAlAs Infrared Emitter 发动器，红外Lumineszenzdiode GaAlA红外发射
From old datasheet system
|
SIEMENS AG
SIEMENS[Siemens Semiconductor Group]
|
| Q62703-Q1095 SFH487-2 Q62703-Q2174 SFH487 |
From old datasheet system
GaAIAs-IR-Lumineszenzdiode 880nm GaAIAs Infrared Emitter 880 nm 镓铝砷红外光Lumineszenzdiode 880nm红外线发射器880镓铝砷纳
GaAIAs-IR-Lumineszenzdiode 880nm GaAIAs Infrared Emitter 880 nm 3 mm, 1 ELEMENT, INFRARED LED, 880 nm
|
Siemens Semiconductor G...
SIEMENS[Siemens Semiconductor Group]
SIEMENS AG
SIEMENS A G
|
| Q62702P5053 |
GaAlAs-Lumineszenzdiode (660 nm)
|
OSRAM GmbH
|
| SFH4557 Q65111A1142 |
IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung
|
OSRAM GmbH
|
| SFH4550 SFH455012 Q65110A1772 |
IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung
|
OSRAM GmbH
|
| SFH4253 Q65110A6657 |
IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung
|
OSRAM GmbH
|
| Q65110A2465 SFH4250 SFH425012 |
IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung
|
OSRAM GmbH
|
| SFH4240 Q65110A7513 |
IR-Lumineszenzdiode (940 nm) mit hoher Ausgangsleistung
|
OSRAM GmbH
|
| SFH4236 |
IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung
|
OSRAM GmbH
|
