 |
|
| If you can't view the Datasheet, Please click here to try to view without PDF Reader . |
|
|
|
| If you can't view the Datasheet, Please click here to try to view without PDF Reader . |
|
|
| Datasheet File OCR Text: |
| 3 mm (T1) MULTILED(R), Non Diffused LSG 3331 Besondere Merkmale nicht eingefarbtes, klares Gehause antiparallel geschaltete Leuchtdiodenchips hohe Signalwirkung durch Farbwechsel der LED moglich bei geeigneter Ansteuerung mit IC (z.B. SDA 2231), Farbwechsel von grun uber gelb und orange bis super-rot moglich q beide Farben getrennt ansteuerbar q gegurtet lieferbar q Storimpulsfest nach DIN 40839 q q q q Features colorless clear plastic package antiparallel chips high signal efficiency possible by color change of the LED with appropriate controlling by IC (e.g. SDA2231) it is possible to change color from green to yellow, orange and super-red q both colors can be controlled separately q available taped on reel q load dump resistant acc. to DIN 40839 q q q q Typ Type Emissionsfarbe Color of Emission Gehausefarbe Color of Package Lichtstarke Luminous Intensity IF = 10 mA IV (mcd) 4 (18 typ.) Bestellnummer Ordering Code LSG 3331-JO 1) super-red / green colorless clear Q62703-Q2296 Streuung der Lichtstarke in einer Verpackungseinheit IV max / IV min 2.01). Streuung der Lichtstarke in einer LED IV max / IV min 3.0. 1) Bei MULTILED(R) bestimmt die Helligkeit des jeweils dunkleren Chip in einem Gehause die Helligkeitsgruppe der LED. Luminous intensity ratio in one packaging unit IV max / IV min 2.01). Luminous intensity ratio in one LED IV max / IV min 3.0. 1) In case of MULTILED(R), the brightness of the darker chip in one package determines the brightness group of the LED. Semiconductor Group 1 11.96 VEX06729 LSG 3331 Grenzwerte1) Maximum Ratings1) Bezeichnung Parameter Betriebstemperatur Operating temperature range Lagertemperatur Storage temperature range Sperrschichttemperatur Junction temperature Durchlastrom Forward current Stostrom Surge current t 10 s, D = 0.005 Verlustleistung Power dissipation TA 25 C Warmewiderstand Thermal resistance Sperrschicht / Luft Junction / air 1) 1) Symbol Symbol Werte Values - 55 ... + 100 - 55 ... + 100 + 100 40 0.5 Einheit Unit C C C mA A Top Tstg Tj IF IFM Ptot 140 mW Rth JA 400 K/W Die angegebenen Grenzdaten gelten fur den Chip, fur den sie angegeben sind, unabhangig vom Betriebszustand des anderen. The standard maximum ratings refer to the specified chip regardless of the other one's operating status. Semiconductor Group 2 LSG 3331 Kennwerte (TA = 25 C) Characteristics Bezeichnung Parameter Wellenlange des emittierten Lichtes Wavelength at peak emission IF = 20 mA Dominantwellenlange Dominant wavelength IF = 20 mA Spektrale Bandbreite bei 50 % Irel max Spectral bandwidth at 50 % Irel max IF = 20 mA Abstrahlwinkel bei 50 % IV (Vollwinkel) Viewing angle at 50 % IV Durchlaspannung Forward voltage IF = 10 mA Kapazitat Capacitance VR = 0 V, f = 1 MHz Schaltzeiten: Switching times: IV from 10 % to 90 % IV from 90 % to 10 % IF = 100 mA, tP = 10 s, RL = 50 Symbol Symbol LS (typ.) peak (typ.) (typ.) dom (typ.) (typ.) (typ.) 2 (typ.) VF (max.) VF (typ.) C0 635 Werte Values LG 565 nm Einheit Unit 628 570 nm 45 25 nm 40 2.0 2.6 40 2.0 2.6 27 Grad deg. V V pF (typ.) tr (typ.) tf 300 150 450 200 ns ns Semiconductor Group 3 LSG 3331 Relative spektrale Emission Irel = f (), TA = 25 C, IF = 20 mA Relative spectral emission V () = spektrale Augenempfindlichkeit Standard eye response curve Abstrahlcharakteristik Irel = f () Radiation characteristic Semiconductor Group 4 LSG 3331 Durchlastrom IF = f (VF) Forward current TA = 25 C Relative Lichtstarke IV/IV(10 mA) = f (IF) Relative luminous intensity TA = 25 C Zulassige Impulsbelastbarkeit IF = f (tP) Permissible pulse handling capability Duty cycle D = parameter, TA = 25 C Maximal zulassiger Durchlastrom Max. permissible forward current IF = f (TA) Semiconductor Group 5 LSG 3331 Wellenlange der Strahlung peak = f (TA) Wavelength at peak emission IF = 20 mA Dominantwellenlange dom = f (TA) Dominant wavelength IF = 20 mA Durchlaspannung VF = f (TA) Forward voltage IF = 10 mA Relative Lichtstarke IV/IV(25 C) = f (TA) Relative luminous intensity IF = 10 mA Semiconductor Group 6 LSG 3331 Mazeichnung Package Outlines (Mae in mm, wenn nicht anders angegeben) (Dimensions in mm, unless otherwise specified) Kathodenkennzeichnung: grun: rot: langerer Lotspie kurzerer Lotspie Cathode mark: green: long solder lead red: short solder lead Semiconductor Group 7 GEX06729 |
Price & Availability of Q62703-Q2296
 |
|
|
|
|
All Rights Reserved © IC-ON-LINE 2003 - 2022 |
| [Add Bookmark] [Contact Us] [Link exchange] [Privacy policy] |
|
Mirror Sites : [www.datasheet.hk]
[www.maxim4u.com] [www.ic-on-line.cn]
[www.ic-on-line.com] [www.ic-on-line.net]
[www.alldatasheet.com.cn]
[www.gdcy.com]
[www.gdcy.net] |