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Schnelle IR-Lumineszenzdiode (950 nm) im 3 mm Radial-Gehause High-Speed Infrared Emitter (950 nm) in 3 mm Radial Package SFH 4301
Wesentliche Merkmale * Hohe Pulsleistung und hoher Gesamtstrahlungsflu e * Sehr kurze Schaltzeiten (10 ns) * Sehr hohe Langzeitstabilitat * Hohe Zuverlassigkeit Anwendungen * Schnelle Datenubertragung mit Ubertragungsraten bis 100 Mbaud (IR Tastatur, Joystick, Multimedia) * Analoge und digitale Hi-Fi Audio- und Videosignalubertragung * Batteriebetriebene Gerate (geringe Stromaufnahme) * Anwendungen mit hohen Zuverlassigkeits-anspruchen bzw. erhohten Anforderungen * Alarm- und Sicherungssysteme * IR Freiraumubertragung
Features * * * * High pulse power and high radiant flux e Very short switching times (10 ns) Very high long-time stability High reliability
Applications * High data transmission rate up to 100 Mbaud (IR keyboard, Joystick, Multimedia) * Analog and digital Hi-Fi audio and video signal transmission * Low power consumption (battery) equipment * Suitable for professional and high-reliability applications * Alarm and safety equipment * IR free air transmission
Typ Type SFH 4301
Bestellnummer Ordering Code Q62702-P5166
Gehause Package 3-mm-LED-Gehause (T1), schwarz eingefarbt, Anschlusse im 2.54-mm-Raster (1/10''), Kathodenkennung: langerer Anschlu 3 mm LED package (T1), black-colored epoxy resin, solder tabs lead spacing 2.54 mm (1/10''), cathode marking: long lead
2000-01-01
1
OPTO SEMICONDUCTORS
SFH 4301
Grenzwerte (TA = 25 C) Maximum Ratings Bezeichnung Parameter Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Sperrspannung Reverse voltage Durchlastrom Forward current Stostrom Surge current tp = 10 s, D = 0 Verlustleistung Power dissipation Warmewiderstand Sperrschicht - Umgebung, freie Beinchenlange max. 10 mm Thermal resistance junction - ambient, lead length between package bottom and PCB max. 10 mm Symbol Symbol Wert Value - 40 ... + 100 3 100 1 Einheit Unit C V mA A
Top; Tstg VR
IF (DC)
IFSM
Ptot RthJA
180 375
mW K/W
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OPTO SEMICONDUCTORS
SFH 4301
Kennwerte (TA = 25 C) Characteristics Bezeichnung Parameter Wellenlange der Strahlung Wavelength of peak emission IF = 100 mA, tp = 20 ms Spektrale Bandbreite bei 50% von Imax Spectral bandwidth at 50% of Imax IF = 100 mA, tp = 20 ms Abstrahlwinkel Half angle Aktive Chipflache Active chip area Abmessungen der aktiven Chipflache Dimension of the active chip area Schaltzeiten, Ie von 10% auf 90% und von 90% auf 10% Switching times, Ie from 10% to 90% and from 90% to10%, IF = 100 mA, tP = 20 ms, RL = 50 Kapazitat Capacitance VR = 0 V, f = 1 MHz Durchlaspannung Forward voltage IF = 100 mA, tp = 20 ms IF = 1 A, tp = 100 s Sperrstrom Reverse current VR = 3 V Gesamtstrahlungsflu Total radiant flux IF = 100 mA, tp = 20 ms Temperaturkoeffizient von Ie bzw. e Temperature coefficient of Ie or e IF = 100 mA Symbol Symbol peak Wert Value 950 Einheit Unit nm
40
nm
10 0.09 0.3 x 0.3 10
Grad deg. mm2 mm ns
A LxB LxW
tr, tf
Co
35
pF
VF VF
1.5 ( 1.8) 3.2 ( 3.6) 0.01 ( 10)
V V A
IR
e
32
mW
TCI
- 0.44
%/K
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OPTO SEMICONDUCTORS
SFH 4301
Kennwerte (TA = 25 C) (cont'd) Characteristics Bezeichnung Parameter Temperaturkoeffizient von VF Temperature coefficient of VF IF = 100 mA Temperaturkoeffizient von Temperature coefficient of IF = 100 mA Symbol Symbol TCV Wert Value - 1.5 Einheit Unit mV/K
TC
+ 0.2
nm/K
Strahlstarke e in Achsrichtung gemessen bei einem Raumwinkel von = 0.01 sr Radiant Intensity e in Axial Direction measured at a solid angle of = 0.01 sr Bezeichnung Parameter Strahlstarke Radiant intensity IF = 100 mA, tp = 20 ms Strahlstarke Radiant intensity IF = 1 A, tp = 100 s Symbol Symbol Ie min Ie typ Ie typ Wert Value 16 60 400 Einheit Unit mW/sr mW/sr mW/sr
Lotbedingungen Soldering Conditions Tauch-, Schwall- und Schlepplotung Dip, wave and drag soldering Lotpadtemperatur Maximal zulassige Lotzeit Abstand Lotstelle - Gehause Kolbenlotung (mit 1,5-mm-Kolbenspitze) Iron soldering (with 1.5-mm-bit) Temperatur des Kolbens Maximale zulassige Lotzeit Max. permissible soldering time 3s Abstand Lotstelle - Gehause Distance between solder joint and case
Temperature of the soldering bath 260 C
Max. perm. Distance soldering time between solder joint and case 10 s
Temperature of the soldering iron 300 C
1.5 mm
1.5 mm
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OPTO SEMICONDUCTORS
SFH 4301
Relative Spectral Emission Ierel = f ()
100
OHF00777
Radiant Intensity e/e (100 mA) = f (IF) Single pulse, tp = 20 s
10 2 e e (100 mA)
OHF00809
Max. Permissible Forward Current IF = f (TA)
120
OHF00359
erel
80
F mA
100
80
60
10 0
60
R thJA = 375 K/W
40
10 -1
40
20
10 -2
20
0
800 850
900
950 1000
nm 1100
10 -3 10 0
10 1
10 2
10 3 mA 10 4 F
0
0
20
40
60
80
100 C 120 TA
Forward Current IF = f (VF) single pulse, tp = 20 s
F
10 4 mA 10 3 10 2 10 1 10 0 10 -1 10 -2 10 -3
OHF00784
Radiation Characteristic
Ierel = f ()
40 30 20 10 0
OHF01016
1.0
50
0.8
0.6 60 0.4 70 0.2 80 90 100 1.0 0.8 0.6 0.4 0 20 40 60 80 100 120 0
0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5
V 4.5
VF
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5
OPTO SEMICONDUCTORS
SFH 4301
Mazeichnung Package Outlines
Area not flat 0.6 0.4 5.2 4.5 4.1 3.9
2.54 mm spacing
4.0 3.6
0.7 0.4 0.8 0.4
1.8 1.2
(3.5) 29 27 6.3 5.9
o3.1 o2.9
0.6 0.4
Chip position Cathode (SFH 409, SFH 4332) Anode (SFH 487, SFH 4301)
GEX06250
Mae in mm, wenn nicht anders angegeben / Dimensions in mm, unless otherwise specified.
2000-01-01
6
OPTO SEMICONDUCTORS

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