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| Schnelle GaAs-IR-Lumineszenzdiode (950 nm) High-Speed GaAs Infrared Emitter (950 nm) SFH 4200 SFH 4205 SFH 4200 SFH 4205 Wesentliche Merkmale * GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad * Gleichstrom- (mit Modulation) oder Impulsbetrieb moglich * Hohe Zuverlassigkeit * Hohe Impulsbelastbarkeit * Sehr kurze Schaltzeiten (10 ns) * Fur Oberflachenmontage geeignet * Gegurtet lieferbar * SFH 4200 Gehausegleich mit SFH 320 SFH 4205 Gehausegleich mit SFH 325 * SFH 4205: Nur fur IR-Reflow-Lotung geeignet. Features * Very highly efficient GaAs-LED * DC (with modulation) or pulsed operations are possible * High reliability * High pulse handling capability * Very short switching times (10 ns) * Suitable for surface mounting (SMT) * Available on tape and reel * SFH 4200 same package as SFH 320 SFH 4205 same package as SFH 325 * SFH 4205: Suitable only for IR-reflow soldering. Applications * High data transmission rate up to 100 Mbaud (IR keyboard, Joystick, Multimedia) * Analog and digital Hi-Fi audio and video signal transmission * Low power consumption (battery) equipment * Suitable for professional and high-reliability applications * Alarm and safety equipment * IR free air transmission Anwendungen * Schnelle Datenubertragung mit Ubertragungsraten bis 100 Mbaud (IR Tastatur, Joystick, Multimedia) * Analoge und digitale Hi-Fi Audio- und Videosignalubertragung * Batteriebetriebene Gerate (geringe Stromaufnahme) * Anwendungen mit hohen Zuverlassigkeitsanspruchen bzw. erhohten Anforderungen * Alarm- und Sicherungssysteme * IR Freiraumubertragung 2000-01-01 1 OPTO SEMICONDUCTORS SFH 4200, SFH 4205 Typ Type Bestellnummer Ordering Code Gehause Package Kathodenkennzeichnung: abgesetzte Ecke Cathode marking: bevelled edge TOPLED(R) SIDELED SFH 4200 SFH 4205 Q62702-P978 Q62702-P5165 Grenzwerte (TA = 25 C) Maximum Ratings Bezeichnung Parameter Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Sperrspannung Reverse voltage Durchlastrom Forward current Stostrom, tp = 10 s, D = 0 Surge current Verlustleistung Power dissipation Symbol Symbol Wert Value - 40 ... + 100 3 100 1 180 450 Einheit Unit C V mA A mW K/W Top; Tstg VR IF (DC) IFSM Ptot Warmewiderstand Sperrschicht - Umgebung bei RthJA Montage auf FR4 Platine, Padgroe je 16 mm2 Thermal resistance junction - ambient mounted on PC-board (FR4), padsize 16 mm2 each Warmewiderstand Sperrschicht - Lotstelle bei RthJS Montage auf Metall-Block Thermal resistance junction - soldering point, mounted on metal block 200 K/W 2000-01-01 2 OPTO SEMICONDUCTORS SFH 4200, SFH 4205 Kennwerte (TA = 25 C) Characteristics Bezeichnung Parameter Wellenlange der Strahlung Wavelength at peak emission IF = 100 mA, tp = 20 ms Spektrale Bandbreite bei 50% von Imax Spectral bandwidth at 50% of Imax IF = 100 mA, tp = 20 ms Abstrahlwinkel Half angle Aktive Chipflache Active chip area Abmessungen der aktiven Chipflache Dimensions of the active chip area Symbol Symbol peak Wert Value 950 Einheit Unit nm 40 nm 60 0.09 0.3 x 0.3 10 Grad deg. mm2 mm ns A LxB LxW Schaltzeiten, Ie von 10% auf 90% und von 90% tr, tf auf 10%, bei IF = 100 mA, tp = 20 ms, RL = 50 Switching times, e from 10% to 90% and from 90% to10%, IF = 100 mA, tp = 20 ms, RL = 50 Durchlaspannung, Forward voltage IF = 100 mA, tp = 20 ms IF = 1 A, tp = 100 s Sperrstrom, Reverse current VR = 3 V Gesamtstrahlungsflu, Total radiant flux IF = 100 mA, tp = 20 ms Temperaturkoeffizient von Ie bzw. e, VF VF IR 1.5 ( 1.8) 3.2 ( 3.6) 0.01 ( 10) V V A e 28 mW TCI - 0.44 %/K IF = 100 mA Temperature coefficient of Ie or e, IF = 100 mA Temperaturkoeffizient von VF, IF = 100 mA Temperature coefficient of VF, IF = 100 mA Temperaturkoeffizient von , IF = 100 mA Temperature coefficient of , IF = 100 mA TCV TC - 1.5 + 0.2 mV/K nm/K 2000-01-01 3 OPTO SEMICONDUCTORS SFH 4200, SFH 4205 Strahlstarke Ie in Achsrichtung gemessen bei einem Raumwinkel = 0.01 sr Radiant Intensity Ie in Axial Direction at a solid angle of = 0.01 sr Bezeichnung Parameter Strahlstarke Radiant intensity IF = 100 mA, tp = 20 ms Strahlstarke Radiant intensity IF = 1 A, tp = 100 s Symbol Ie min. Ie typ. Ie typ. Werte Values 4 8.5 55 Einheit Unit mW/sr mW/sr mW/sr 2000-01-01 4 OPTO SEMICONDUCTORS SFH 4200, SFH 4205 Relative Spectral Emission Irel = f () 100 OHF00777 Radiant Intensity Ie = f (IF) Ie 100 mA OHF00809 Single pulse, tp = 20 s 10 2 e e (100 mA) Forward Current IF = f (VF) single pulse, tp = 20 s 10 4 mA 10 3 10 2 OHF00784 rel 80 F 60 10 0 10 1 10 0 10 -1 40 10 -1 20 10 -2 10 -2 0 800 850 900 950 1000 nm 1100 10 -3 10 0 10 1 10 2 10 3 mA 10 4 F 10 -3 0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 V 4.5 VF Max. Permissible Forward Current IF = f (TA), RthJA1) 120 OHF00359 Radiation Characteristics Irel = f () 40 30 20 10 0 OHL01660 F mA 100 50 1.0 0.8 80 R thJA = 450 K/W 60 0.6 60 0.4 70 40 80 0.2 20 90 0 0 0 20 40 60 80 100 C 120 TA 100 1.0 0.8 0.6 0.4 0 20 40 60 80 100 120 1) Thermal resistance junction ambient mounted on PC-board (FR4), pad size 16 mm2 (each). 5 OPTO SEMICONDUCTORS 2000-01-01 SFH 4200, SFH 4205 Mazeichnung Package Outlines SFH 4200 3.0 2.6 2.3 2.1 2.1 1.7 0.1 (typ) 41 0.9 0.7 (2.4) 3.4 3.0 1.1 0.5 3.7 3.3 Cathode marking 0.18 0.12 0.6 0.4 GPL06724 SFH 4205 (2.4) 2.8 2.4 4.2 3.8 0.7 Cathode Cathode marking 2.54 spacing (1.4) 1.1 0.9 Anode (2.85) (0.3) 3.8 3.4 (2.9) (R1) 4.2 3.8 GPL06880 Mae in mm, wenn nicht anders angegeben / Dimensions in mm, unless otherwise specified. 2000-01-01 6 OPTO SEMICONDUCTORS SFH 4200, SFH 4205 Lothinweise Soldering Conditions Bauform Types Tauch-, Schwall- und Schlepplotung Dip, Wave and Drag Soldering Lotbadtemperatur Reflowlotung Reflow Soldering Maximale Durchlaufzeit Max. Transit Time 10 s 10 s Maximal zulassige LotzonenLotzeit temperatur Temperature of Soldering Zone 245 C 245 C Temperature of Max. Perm. the Soldering Bath Soldering Time TOPLED SIDELED 260 C - 10 s - Zusatzliche Informationen uber allgemeine Lotbedingungen erhalten Sie auf Anfrage. For additional information on general soldering conditions please contact us. 2000-01-01 7 OPTO SEMICONDUCTORS |
Price & Availability of SFH4205
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