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European PowerSemiconductor and Electronics Company GmbH + Co. KG
Marketing Information FF 400 R 12 KF 4
55,2 M8
11,85
screwing depth max. 8
31,5
130 114
E1
C2
C1 E1 G1 C1 C2
E2 E2 G2
M4
28
7 2,5 deep
40 53
16 18
44 57
screwing depth max. 8
2,5 deep
E1
E1
C2
C2
G1
G2
C1
E2
C1
E2
A15/97 Mod-E/ 21.Jan 1998 G.Schulze
FF 400 R 12 KF 4
Hochstzulassige Werte / Maximum rated values Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Kollektor-Emitter-Sperrspannung Kollektor-Dauergleichstrom Periodischer Kollektor Spitzenstrom Gesamt-Verlustleistung Gate-Emitter-Spitzenspannung Dauergleichstrom Periodischer Spitzenstrom Isolations-Prufspannung collector-emitter voltage DC-collector current repetitive peak collctor current total power dissipation gate-emitter peak voltage DC forward current repetitive peak forw. current insulation test voltage tp=1 ms tC=25C, Transistor /transistor VCES IC ICRM Ptot VGE IF IFRM VISOL min. 4,5 typ. 2,7 3,3 5,5 28 8 32 0,7 0,8 0,9 1,0 0,10 0,15 70 60 1200 400 800 2700 20 400 800 2,5 max. 3,2 3,9 6,5 400 400 V A A W V A A kV
tp=1ms RMS, f=50 Hz, t= 1 min.
Charakteristische Werte / Characteristic values: Transistor
Kollektor-Emitter Sattigungsspannung Gate-Schwellenspannung Eingangskapazitat Kollektor-Emitter Reststrom Gate-Emitter Reststrom Emitter-Gate Reststrom Einschaltzeit (induktive Last) Speicherzeit (induktive Last) Fallzeit (induktive Last) Einschaltverlustenergie pro puls Abschaltverlustenergie pro Puls collector-emitter saturation voltage gate threshold voltage input capacity collector-emitter cut-off current gate leakage current gate leakage current turn-on time (inductive load) storage time (inductive load) fall time (inductive load) turn-on energie per pulse turn-off energie loss per pulse iC=400A, vGE=15V, t vj=25C iC=400A, vGE=15V, t vj=125C iC=16mA, vCE=vGE, tvj=25C fO=1MHz,tvj=25C,vCE=25V, v GE=0V vCE=1200V, vGE=0V, t vj=25C vCE=1200V, vGE=0V, t vj=125C vCE=0V, v GE=20V, t vj=25C vCE=0V, v EG=20V, t vj=25C iC=400A,vCE=600V,vL=15V,R G=3,6 iC=400A,vCE=600V,vL=15V,R G=3,6 iC=400A,vCE=600V,vL=15V,R G=3,6 iC=400A,vCE=600V,vL=15V,R G=3,6 iC=400A,vCE=600V,vL=15V,R G=3,6 iC=400A,vCE=600V,vL=15V,R G=3,6 iC=400A, vCE=600V, L s=70nH vL=15V, R G=3,6 , tvj=125C iC=400A, vCE=600V, L s=70nH vL=15V, R G=3,6 , tvj=125C vCE sat vGE(th) Cies iCES iGES iEGS ton
,tvj= 25C ,tvj=125C ,tvj= 25C ts ,tvj=125C ,tvj= 25C tf ,tvj=125C Eon Eoff
V V V nF mA mA nA nA s s s s s s
- mWs - mWs
Inversdiode / Inverse diode Durchlaspannung Ruckstromspitze
Charakteristische Werte / Characteristic values
forward voltage peak reverse recovery current iF=400A, vGE=0V, t vj=25C iF=400A, vGE=0V, t vj=125C iF=400A, vRM=600V, v EG = 10V -diF/dt = 2,0 kA/s, tvj = 25C -diF/dt = 2,0 kA/s, tvj = 125C iF=400A, vRM=600V, v EG = 10V -diF/dt = 3,0 kA/s, tvj = 25C -diF/dt = 3,0 kA/s, tvj = 125C vF IRM 2,2 2,0 140 240 18 50 2,7 V 2,5 V -A -A - As - As
Sperrverzogerungsladung
recovered charge
Qr
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Warmewiderstand thermal resistance, junction to case Transistor / transistor, DC Transistor,DC,pro Zweig/per arm Diode, DC, pro Modul/per module Diode, DC, pro Zweig/per arm thermal resistance, case to heatsink pro Modul / per Module pro Zweig / per arm max. junction temperature pro Modul / per Module operating temperature Transistor / transistor storage temperature RthJC 0,023 0,046 0,044 0,088 0,01 0,02 150 -40...+150 -40...+125 C/W C/W C/W C/W C/W C/W C C C
Ubergangs-Warmewiderstand Hochstzul. Sperrschichttemperatur Betriebstemperatur Lagertemperatur
RthCK tvj max tc op tstg
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehause, siehe Anlage Innere Isolation Anzugsdrehmoment f. mech. Befestigung Anzugsdrehmoment f. elektr. Anschlusse Gewicht case, see appendix internal insulation mounting torque terminal connection torque weight Seite / page terminals M6 / tolerance +/-15% terminals M4 / tolerance +/-15% terminals M8 M1 M2 G 1 AI2O3 5 2 8...10 ca. 1500 Nm Nm Nm g
Bedingung fur den Kurzschluschutz / Conditions for short-circuit protection tfg = 10 s VCC = 750 V vL = 15 V vCEM = 900 V iCMK1 3500 A RGF = RGR = 3,6 tvj = 125C iCMK2 3000 A Unabhangig davon gilt bei abweichenden Bedingungen / with regard to other conditions
v
CEM =
VCES - 20nH x |dic/dt|
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehorigen Technischen Erlauterungen. This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes.
FF 400 R12 KF4
800 800
V GE = 20 V
15 V
iC [A]
700
600
iC [A]
700 12 V 600 10 V
500
500
400
400
9V
300
300 8V
200
200
100
100
0 1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0 v CE [V]
4.5
5.0
0 1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0 v CE [V]
4.5
5.0
FF400R12KF4
FF400R12KF4
Bild/Fig. 1 Kollektor-Emitter-Spannung im Sattigungsbereich (typisch) Collector-emitter-voltage in saturation region (typical) VGE = 15V -----Tvj = 25 C ___Tvj = 125 C 800 t vj = 125 C 25 C 1000
Bild/Fig. 2 Kollektor-Emitter-Spannung im Sattigungsbereich (typisch) Collector-emitter-voltage in saturation region (typical) tvj = 125 C
iC [A]
700
iC [A]
800
600
500
600
400 400
300
200 200 100
0
5
6
7
8
9
10 v GE [V]
11
12
0
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
FF400R12KF4
FF400R12KF4
v CE [V]
Bild/Fig. 3 Ubertragungscharakteristik (typisch) Transfer characteristic (typical) VCE = 20 V
Bild/Fig. 4 Ruckwarts-Arbeitsbereich Reverse biased safe operating area tvj = 125 C, vLF = vLR = 15 V, RG = 3,6
FF 400 R12 KF4
10-1 Diode 6 Z(th)JC [C/W] 3 2 700 IGBT iF [A]
800
600
500
10-2
400
5 3 2
300
200
100
10-3 -3 10
2
4
10-2
2
4
10-1
2
4
100
2
4
101
0 0.5
FF400R12KF4
1.0
1.5
2.0
2.5 v F [V]
3.0
FF400R12KF4
t [s ]
Bild/Fig. 5 Transienter innerer Warmewiderstand je Zweig (DC) Transient thermal impedance per arm (DC)
Bild/Fig. 6 Durchlakennlinie der Inversdiode (typisch) Forward characteristic of the inverse diode (typical) tvj = 25 C tvj = 125 C
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