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S
Schneller Thyristor Fast Thyristor
Datenblatt / Data sheet
T1052S
Tvj = -40C... Tvj max = +25C... Tvj max VDRM, VRRM VRSM ITRMSM TC = 85C TC = 55 C, = 180sin, tP = 10 ms ITAVM ITAVM ITRMS Tvj = 45C, tP = 10 ms Tvj = Tvj max , tP = 10 ms Tvj = 45C, tP = 10 ms Tvj = Tvj max , tP = 10 ms DIN IEC 60747-6 vD 67%VDRM, f = 50 Hz, iGM = 1,2 A, diG/dt = 1,2 A/s Tvj = Tvj max, vD = 0,67 VDRM th 5.Kennbuchstabe / 5 letter ITSM It (diT/dt)cr 1200 V 1300 V 2200 A 1050 A 1510 A 2380 A 22,5 kA 20,0 kA 2,53 10 As 6 2,00 10 As 400 A/s
6
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Hochstzulassige Werte / Maximum rated values Kenndaten Periodische Spitzensperrspannung repetitive peak reverse voltages Stospitzensperrspannung non-repetitive peak reverse voltage Durchlastrom-Grenzeffektivwert maximum RMS on-state current Dauergrenzstrom average on-state current Dauergrenzstrom average on-state current Durchlastrom-Effektivwert RMS on-state current Stostrom-Grenzwert surge current Grenzlastintegral It-value Kritische Stromsteilheit critical rate of rise of on-state current Kritische Spannungssteilheit critical rate of rise of off-state voltage
Elektrische Eigenschaften T
vj
(dvD/dt)cr
1)
2) 500 V/s 500 V/s
C: 500 M: 1000 Charakteristische Werte / Characteristic values Durchlaspannung on-state voltage Schleusenspannung threshold voltage Ersatzwiderstand slope resistance Durchlakennlinie 300 A iT 5000 A on-state characteristic
Tvj = Tvj max , iT = 4000A Tvj = Tvj max Tvj = Tvj max Tvj = Tvj max
vT V(TO) rT A= B= C= D= IGT VGT IGD VGD IH
max.
2,7 V 1,45 V 0,3 m
vT = A + B i
T
+ C ln ( i T + 1 ) + D
iT
Tvj = 25 C, vD = 12V Tvj = 25 C, vD = 12V Tvj = Tvj max , vD = 12V Tvj = Tvj max , vD = 0,5 VDRM Tvj = 25C, vD = 12V
IL Tvj = 25C, vD = 12V, RGK 10 max. 1000 mA iGM = 1,2 A, diG/dt = 1,2 A/s, tg = 20 s 1) Werte nach DIN IED 747-6 (ohne vorausgehende Kommutierung) / values to DIN IEC 747-6 (without prior commutation) 2) Unmittelbar nach der Freiwerdezeit, vgl. Mebedingungen fur tq / immediatley after circuit commutated turn-off time, see Parameters tq
Zundstrom gate trigger current Zundspannung gate trigger voltage Nicht zundender Steuerstrom gate non-trigger current Nicht zundende Steuerspannung gate non-trigger voltage Haltestrom holding current Einraststrom latching current
1,892E+00 6,402E-05 -1,162E-01 2,382E-02 max. 300 mA max. max. max. max. 2,2 V 20 mA 0,25 V 250 mA
prepared by: H.Sandmann approved by: J.Przybilla
date of publication: revision:
2008-09-15 3.0
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Schneller Thyristor Fast Thyristor
Datenblatt / Data sheet
T1052S
Tvj = Tvj max , vR = VRRM iD, iR tgd tq max. max. 200 mA 1,4 s
Charakteristische Werte / Characteristic values Sperrstrom reverse current Zundverzug gate controlled delay time Freiwerdezeit circuit commutated turn-off time
60747-6 Thermische EigenschaftenDIN IECC, i = 1,2 A, di /dt = 1,2A/s T = 25
vj GM G
Tvj = Tvj max, iTM = 1300A vRM = 100 V, vDM = 0,67 VDRM dvD/dt = 20 V/s, -diT/dt = 20 A/s th 4.Kennbuchstabe / 4 letter
D:
max.
15 s
Thermische Eigenschaften / Thermal properties Innerer Warmewiderstand thermal resistance, junction to case
Mechanische Eigenschaften
Ubergangs-Warmewiderstand thermal resistance, case to heatsink Hochstzulassige Sperrschichttemperatur maximum junction temperature Betriebstemperatur operating temperature Lagertemperatur storage temperature Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties Gehause, siehe Anlage case, see annex Si-Element mit Druckkontakt Si-pellet with pressure contact Anprekraft clamping force Steueranschlusse control terminals Gewicht weight Kriechstrecke creepage distance Schwingfestigkeit vibration resistance
Kuhlflache /cooling surface beidseitig / two sided, = 180 sin beidseitig / two sided, DC Anode / anode, = 180 sin Anode / anode, DC Kathode / cathode, = 180 sin Kathode / cathode, DC Kuhlflache / cooling surface beidseitig / two-sides einseitig / single-sides
RthJC max. max. max. max. max. max. RthCH max. max. 0,018 0,017 0,031 0,030 0,041 0,040 C/W C/W C/W C/W C/W C/W
0,004 C/W 0,008 C/W 125 C
Tvj max Tc op Tstg
-40...+125 C -40...+150 C
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F Gate (flat) Gate (round, based on AMP 60598) Kathode / cathode G
16...32 A 2,8x0,5 O 1,5 A 4,8x0,5 typ. 580
kN mm mm mm g
20 mm f = 50 Hz 50 m/s
Mit diesem Datenblatt werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehorigen technischen Erlauterungen. This data sheet specifies semiconductor devices, but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes.
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Datenblatt / Data sheet
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Mabild
45 1 2
1: Anode / Anode 2: Kathode / Cathode 4: Gate 5: Hilfskathode/ Auxiliary Cathode
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Datenblatt / Data sheet
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Analytische Elemente des transienten Warmewiderstandes Z thJC fur DC Analytical elements of transient thermal impedance Z thJC for DC Kuhlung / Cooling beidseitig two-sided Pos. n Rthn [C/W] 1 0,00114 0,00140 0,00106 0,00130 0,00106 0,00130 2 0,00224 0,01500 0,00239 0,01500 0,00245 0,01500 3 0,00487 0,17000 0,00400 0,16000 0,00499 0,19000 4 0,00549 1,05000 0,00625 0,90000 0,00960 1,70000 5 0,00326 5,10000 0,00860 5,80000 0,01070 10,2000
nmax n=1
6 0,0077 44,000 0,0112 53,500
7 -
n [s]
Rthn [C/W]
anodenseitig anode-sided
n [s]
Rthn [C/W]
kathodenseitig cathode-sided
n [s]
Analytische Funktion / Analytical function:
ZthJC =
R
thn
1- e
n
-t
0,05
0,04 Z thJC [C/W]
c
0,03
a
0,02
b
0,01
0,00 0,001
0,01
0,1
1 t [s]
10
100
1000
Transienter innerer Warmewiderstand fur DC / Transient thermal impedance for DC Z thJC = f(t) a - Anodenseitige Kuhlung / Anode-sided cooling b - Beidseitige Kuhlung / Two-sided cooling c - Kathodenseitige Kuhlung / Cathode-sided cooling
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Erhohung des Zth DC bei Sinus und Rechteckstromen mit unterschiedlichen Stromflusswinkeln Rise of Zth DC for sinewave and rectangular current with different current conduction angles Zth rec / Zth sin Kuhlung / Cooling Zth rec [C/W] Zth sin [C/W] Zth rec [C/W] Zth sin [C/W] Zth rec [C/W] Zth sin [C/W] = 180 0,00203 0,00105 = 120 0,00352 0,00167 = 90 0,00476 0,00262 = 60 0,00676 0,00443 = 30 0,01030 0,00833
beidseitig two-sided
0,00200
0,00342
0,00463
0,00659
0,01015
anodenseitig anode-sided
0,00102 0,00201 0,00103
0,00160 0,00344 0,00162
0,00250 0,00466 0,00252
0,00424 0,00662 0,00427
0,00812 0,01019 0,00816
kathodenseitig cathode-sided
Zth rec = Zth DC + Zth rec Zth sin = Zth DC + Zth sin
6.000 5.000 4.000 iT [A] 3.000 2.000 1.000 0 1,6 1,7 1,8 1,9 2 2,1 2,2 2,3 VT [V] 2,4 2,5 2,6 2,7 2,8 2,9 3
Tvj = Tvj max
Grenzdurchlasskennlinie / Limiting on-state characteristic iT = f(vT) Tvj = Tvj max
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