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technische information / technical information netz-gleichrichterdiode rectifier diode 65 dn 02 ... 06 n elektrische eigenschaften / electrical properties vorl?ufige daten preliminary data h?chstzul?ssige werte / maximum rated values periodische spitzensperrspannung t vj = - 25c...t vj max v rrm 200, 400 v repetitive peak reverse voltage 600 v sto?spitzensperrspannung t vj = + 25c...t vj max v rsm 250, 450 v non-repetitive peak reverse voltage 650 v durchla?strom-grenzeffektivwert i frmsm 13300 a rms forward current dauergrenzstrom t k = 98 c i favm 8470 a mean forward current sto?strom-grenzwert t vj = 25c, t p = 10ms i fsm 103 ka surge forward current t vj = t vj max , t p = 10ms 95 ka grenzlastintegral t vj = 25c, t p = 10ms i2t 53 a2s*10 6 i2t-value t vj = t vj max , t p = 10ms 45 a2s*10 6 charakteristische werte / characteristic values durchla?spannung t vj = t vj max , i f = 10ka v f max. 0,98 v forward voltage schleusenspannung t vj = t vj max v (to) 0,7 v threshold voltage ersatzwiderstand t vj = t vj max r t 0,027 m w forward slope resistance sperrstrom t vj = t vj max , v r = v rrm i r max. 100 ma reverse current thermische eigenschaften / thermal properties innerer w?rmewiderstand khlfl?che / cooling surface r thjc thermal resistance, junction to case beidseitig / two-sided, q = 180sin max. 0,0047 c/w beidseitig / two-sided, dc max. 0,0040 c/w anode / anode, q = 180sin max. c/w anode / anode, dc max. c/w kathode / cathode, q = 180sin max. c/w kathode / cathode, dc max. c/w bergangs-w?rmewiderstand khlfl?che / cooling surface r thck thermal resistance, case to heatsink beidseitig / two-sided max. 0,0025 c/w h?chstzul?ssige sperrschichttemperatur t vj max 180 c max. junction temperature betriebstemperatur t c op - 40...+180 c operating temperature lagertemperatur t stg - 40...+180 c storage temperature sz-m / 28.09.98 k.-a.rther a 115/98 seite/page 1(11)
technische information / technical information netz-gleichrichterdiode rectifier diode 65 dn 02 ... 06 n mechanische eigenschaften / mechanical properties vorl?ufige daten preliminary data geh?use, siehe anlage seite 3 case, see appendix page 3 si-elemente mit druckkontakt si-pellets with pressure contact anpre?kraft f 55...80 kn clamping force gewicht g typ. g weight kriechstrecke mm creepage distance schwingfestigkeit f = 50hz 50 m/s2 vibration resistance hinweis : wir empfehlen die diode mit einem temperaturbest?ndigen o-ring zu schtzen. notice: we recommend to protect the diode with a temperture resistant o-rin g. mit dieser technischen information werden halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine eigenschaften zugesichert. sie gilt in verbindung mit den zugeh?rigen technischen erl?uterungen. / this technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. it is valid in combination with the belonging technical notes. sz-m / 28.09.98 k.-a.rther a 115/98 seite/page 2(11)
technische information / technical information netz-gleichrichterdiode rectifier diode 65 dn 02 ... 06 n sz-m / 28.09.98 k.-a.rther a 115/98 z. nr.: 1 seite/page 3(11)
technische information / technical information netz gleicgrichterdiode rectifier diodethyristor 65 dn 02 ... 06 n khlung analytische elemente des transienten w?rmewiderstandes z thjc fr dc cooling analytical ementes of transient thermal impedance z thjc for dc pos.n 1 2 3 4 5 6 beidseitig r thn [c/w] 0,002386 0,000785 0,000769 0,000058 two-sided t n [s] 0,063997 0,017082 0,000942 0,000027 anodenseitig r thn [c/w] anode-sided t n [s] kathodenseitig r thn [c/w] cathode-sided t n [s] n max analytische funktion / analytical function : z thjc = ? r thn ( 1 - exp ( - t / t n )) n=1 sz-m, 28.09.1998, k.-a.rther a 115/98 seite/page 4(11)
technische information / technical information netz-gleichrichterdiode rectifier diode 65 dn 02 ... 06 n grenzdurchla?kennlinie / limiting forward characteristics i f = f(v f ) ?? t vj = 180c ------ t vj = 25c sz-m, 28.09.1998, k.-a.rther a 115/98 z. nr.: 2 seite/page 5(11) vorl?ufige daten / preliminary data 0 5000 10000 15000 20000 25000 30000 35000 0,5 1 1,5 2 v f [v] i f [a]
technische information / technical information netz gleichrichterdiode rectifier diode 65 dn 02 ... 06 n transienter innerer w?rmewiderstand / transient thermal impedance z (th)jc = f (t), dc sz-m, 28.09.1998, k.-a.rther a 115/98 z. nr.: 3 seite/page 6(11) 0,000 0,001 0,002 0,003 0,004 0,005 0,001 0,01 0,1 1 t [s] r (thjc) [c/w] dc
technische information / technical information netz gleichrichterdiode rectifier diode 65 dn 02...06 n differenz zwischen den w?rmewiderst?nden fr pulsstrom und dc / difference between the values of thermal for pulse current and dc parameter: stromkurvenform / current waveform sz-m / 28.09.98, k.-a.rther a 115/98 z. nr.: 4 seite/page 7(11) 0 0,0005 0,001 0,0015 0,002 0,0025 0,003 30 60 90 120 150 180 q [el] d r thjc [c/w]
technische information / technical information netz gleichrichterdiode rectifier diode 65 dn 02 ... 06 n normiertes grenzlastintegral als funktion der halbschwingungsdauer tp normalized i2dt rating as a function of the duration of a half-cycle tp sz-m / 28.09.98, k.-a.rther a 115/98 z. nr.: 5 seite/page 8(11) 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7 0,8 0,9 1,0 1,1 0 2 4 6 8 10 12 t p [ms] i2 dt (normiert)
technische information / technical information netz gleichrichterdiode rectifier diode 65 dn 02...06 n sperrverz?gerungsladung / recovered charge q r = f(-di/dt) t vj = t vjmax ; v r < 0,5 v rrm ; v rm < 0,8 v rrm parameter: durchla?strom / foward current i fm sz-m / 28.09.98, k.-a.rther a 115/98 z. nr.: 6 seite/page 9(11) 100 1000 10000 0,1 1 10 100 1000 - di f / dt [a/s] q r [as] i fm [a] 6400 3200 1600 800 400
technische information / technical information netz gleichrichterdiode rectifier diode 65 dn 02...06 n berstrom / overload on-state current i f(ov) = f(t) beidseitige verst?rkte khlung / forced two-sided cooling k53 t a = 25c, v l = 4 l/s parameter: vorlaststrom / pre-load current i fav(vor) sz-m / 24.11. 1998, k.-a.rther seite/page 10(11) 10.000 100.000 0,01 0,1 1 10 100 1000 t [s] i f (ov) [a] i fav (vor) = 0 a 3000 a 4000 a 4800 a 5400 a 5800 a
technische information / technical information netz gleichrichterdiode rectifier diode n grenzstrom / max. overload on-state current i f(ov)m = f(t), v rm = 0,8 v rrm beidseitige verst?rkte khlung / forced two-sided cooling k53 t a = 25 c, v l = 4 l/s belastung aus / surge current occurs: a - leerlauf / no-load conditions b - betrieb mit dauergrenzstrom / during operation at max. average on-state current i tavm sz-m / 24.11.1998, k.-a.rther seite/page 11(11) 0 10.000 20.000 30.000 40.000 50.000 60.000 70.000 80.000 90.000 100.000 110.000 0,01 0,1 1 10 t [s] i f(ov)m [a] t a = 25 c, v l = 4 l / s a b

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