lb r99a hyper chipled hyper-bright led vorl?ufige daten / preliminary data 2000-03-01 1 opto semiconductors besondere merkmale ? geh?usetyp: 0805 ? besonderheit des bauteils: kleine bauform fr anwendungen mit wenig platzbedarf ? wellenl?nge: 466 nm (blau) ? abstrahlwinkel: extrem breite abstrahlcharakteristik (160) ? technologie: gan ? optischer wirkungsgrad: 1 lm/w ? verarbeitungsmethode: fr alle smt-bestcktechniken geeignet ? l?tmethode: ir reflow l?ten ? vorbehandlung: nach jedec level 2 ? gurtung: 8 mm gurt mit 4000/rolle, ?180 mm anwendungen ? optischer indikator ? einkopplung in lichtleiter ? flache hinterleuchtung (lcd, handy, schalter, display) ? spielsachen features ? package: 0805 ? feature of the device: small package for applications where small space is required ? wavelength: 466 nm (blue) ? viewing angle: extremely wide (160) ? technology: gan ? optical efficiency: 1 lm/w ? assembly methods: suitable for all smt assembly methods ? soldering methods: ir reflow soldering ? preconditioning: acc. to jedec level 2 ? taping: 8 mm tape with 4000/reel, ?180 mm applications ? optical indicators ? coupling into light guides ? flat backlighting (lcd, cellular phones, switches, displays) ? toys
2000-03-01 2 opto semiconductors lb r99a helligkeitswerte werden mit einer stromeinpr?gedauer von 25 ms und einer genauigkeit von 11 % ermittelt. luminous intensity is tested at a current pulse duration of 25 ms and an accuracy of 11 %. typ type emissionsfarbe color of emission farbe der lichtaustritts- fl?che color of the light emitting area lichtst?rke luminous intensity i f = 20 ma i v (mcd) bestellnummer ordering code min. typ. lb r99a blue colorless clear 2.8 10 Q62702-P5175
lb r99a 2000-03-01 3 opto semiconductors grenzwerte maximum ratings bezeichnung parameter symbol symbol wert value einheit unit betriebstemperatur operating temperature range t op C 30 + 85 c lagertemperatur storage temperature range t stg C 40 + 85 c sperrschichttemperatur junction temperature t j + 95 c durchla?strom forward current i f 20 ma sto?strom surge current t 10 m s, d = 0.1 i fm t.b.d. a sperrspannung reverse voltage v r 5v leistungsaufnahme power dissipation p tot 90 mw w?rmewiderstand thermal resistance sperrschicht/umgebung junction/ambient sperrschicht/l?tpad junction/solder point montage auf pc-board fr 4 (padgr??e 3 16 mm 2 ) mounted on pc board fr 4 (pad size 3 16 mm 2 ) r th ja r th js 680 390 k/w k/w
2000-03-01 4 opto semiconductors lb r99a kennwerte ( t a = 25 c) characteristics bezeichnung parameter symbol symbol wert value einheit unit wellenl?nge des emittierten lichtes (typ.) wavelength at peak emission i f = 20 ma l peak 428 nm dominantwellenl?nge (typ.) dominant wavelength i f = 20 ma l dom 465 nm spektrale bandbreite (typ.) spectral bandwidth i f = 20 ma dl 60 nm abstrahlwinkel bei 50 % i v (vollwinkel) (typ.) viewing angle at 50 % i v 2 j 160 grad deg. durchla?spannung (typ.) forward voltage (max.) i f = 20 ma v f v f 3.8 4.5 v v sperrstrom (typ.) reverse current (max.) v r = 5 v i r i r 0.01 10 m a m a temperaturkoeffizient von l peak (typ.) temperature coefficient of l peak i f = 20 ma tc l peak 0.004 nm/k temperaturkoeffizient von l dom (typ.) temperature coefficient of l dom i f = 20 ma tc l dom 0.03 nm/k temperaturkoeffizient von v f (typ.) temperature coefficient of v f i f = 20 ma tc v C 3.1 mv/k optischer wirkungsgrad (typ.) optical efficiency i f = 20 ma h opt 1lm/w
lb r99a 2000-03-01 5 opto semiconductors relative spektrale emission i rel = f ( l ), t a = 25 c, i f = 20 ma relative spectral emission v( l ) = spektrale augenempfindlichkeit standard eye response curve abstrahlcharakteristik i rel = f ( j ) radiation characteristic ohl00431 380 0 20 40 60 80 100 % i rel l v l blue 430 480 530 580 630 680 nm 0 0.2 0.4 1.0 0.8 0.6 j 1.0 0.8 0.6 0.4 0? 10? 20? 40? 30? ohl00408 50? 60? 70? 80? 90? 100? 0? 20? 40? 60? 80? 100? 120?
lb r99a 2000-03-01 6 opto semiconductors durchla?strom i f = f ( v f ) forward current t a = 25 c maximal zul?ssiger durchla?strom i f = f ( t ) max. permissible forward current relative lichtst?rke i v / i v(20 ma) = f ( i f ) relative luminous intensity t a = 25 c relative lichtst?rke i v / i v(25 c) = f ( t a ) relative luminous intensity i f = 20 ma v ohl00432 f f i v 5 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5 5 6 10 -1 0 10 5 1 10 5 10 2 t ohl01215 0 f i 0204060 80 ?c 100 ma 5 10 15 20 25 30 temp. solder point temp. ambient t t s a t a t s ohl00456 f -1 10 v (20 ma) i 10 -2 10 0 10 1 10 2 55ma 10 -1 10 0 10 1 5 5 v i i ohl00442 0 v i -20 0 20 40 60 ?c 100 a i v (25 ?c) 0.2 0.4 0.6 0.8 1.2 t
lb r99a 2000-03-01 7 opto semiconductors ma?zeichnung package outlines ma?e werden wie folgt angegeben: mm (inch) / dimensions are specified as follows: mm (inch). top back cathode mark 1.9 (0.075) 2.1 (0.083) 1.15 (0.045) 1.35 (0.053) 0.4 (0.016) geoy6987 0.6 (0.024) 1.4 (0.055) 1.2 (0.047) 1.3 (0.051) 1.1 (0.043) 0.15 (0.006) 0.2 (0.008) 0.4 (0.016) 0.35 (0.014) 0.7 (0.028) 0.9 (0.035)
2000-03-01 8 opto semiconductors lb r99a l?tbedingungen vorbehandlung nach jedec level 2 soldering conditions preconditioning acc. to jedec level 2 ir-reflow l?tprofil (nach ipc 9501) ir reflow soldering profile (acc. to ipc 9501) empfohlenes l?tpaddesign ir reflow l?ten recommended solder pad ir reflow soldering ohla0685 0:00 0 t t ?c min 50 100 150 200 250 0:30 1:00 1:30 2:00 2:30 3:00 3:30 4:00 4:30 5:00 5:30 2-3 k/s 2-3 k/s t = 183 ?c = 70 s t max t = 245 ?c 1.2 0.9 ohap0607 1.2 1.2
lb r99a 2000-03-01 9 opto semiconductors gurtung / polarit?t und lage verpackungseinheit 4000/rolle, ?180 mm method of taping / polarity and orientation packing unit 4000/reel, ?180 mm ohay0530 cathode mark a c processive direction 1.5 4 4 1.6 2 (2.4) 3.5 8 1.75
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