semiconductor group 1 1999-02-04 . npn-silizium-fototransistor silicon npn phototransistor wesentliche merkmale l speziell geeignet fr anwendungen im bereich von 420 nm bis 1130 nm (sfh 300) und bei 880 nm (sfh 300 fa) l hohe linearit?t l 5 mm-plastikbauform im led-geh?use l gruppiert lieferbar anwendungen l computer-blitzlichtger?te l lichtschranken fr gleich- und wechsellichtbetrieb l industrieelektronik l messen/steuern/regeln features l especially suitable for applications from 420 nm to 1130 nm (sfh 300) and of 880 nm (sfh 300 fa) l high linearity l 5 mm led plastic package l available in groups applications l computer-controlled flashes l photointerrupters l industrial electronics l for control and drive circuits sfh 300 sfh 300 fa ma?e in mm, wenn nicht anders angegeben/dimensions in mm, unless otherwise specified. 0.6 0.4 5.9 5.5 4.5 4.2 7.8 7.5 9.0 8.2 25.2 24.2 1.8 1.2 2.54mm spacing 0.6 0.4 1.0 0.7 ?5.1 chip position area not flat emitter geo06652 1.3 1.0 11.6 11.2 collector feof6652 feo06652
semiconductor group 2 1999-02-04 sfh 300 sfh 300 fa 1) eine lieferung in dieser gruppe kann wegen ausbeuteschwankungen nicht immer sichergestellt werden. wir behalten uns in diesem fall die lieferung einer ersatzgruppe vor. 1) supplies out of this group cannot always be guaranteed due to unforseeable spread of yield. in this case we will reserve us the right of delivering a substitute group. typ (*vorher) type (*formerly) bestellnummer ordering code typ (*vorher) type (*formerly) bestellnummer ordering code sfh 300 (*bp 103 b) q62702-p1189 sfh 300 fa (*bp 103 bf) q62702-p1193 sfh 300-2 (*bp 103 b-2) q62702-p85-s2 sfh 300 fa-2 (*bp 103 bf-2) q62702-p1192 sfh 300-3 (*bp 103 b-3) q62702-p85-s3 sfh 300 fa-3 (*bp 103 bf-3) q62702-p1057 sfh 300-4 1) (*bp 103 b-4) q62702-p85-s4 sfh 300 fa-4 (*bp 103 bf-4) q62702-p1058 grenzwerte maximum ratings bezeichnung description symbol symbol wert value einheit unit betriebs- und lagertemperatur operating and storage temperature range t op ; t stg C 40 ... + 100 c l?ttemperatur bei tauchl?tung l?tstelle 3 2 mm vom geh?use, l?tzeit t 5 s dip soldering temperature 3 2 mm distance from case bottom, soldering time t 5 s t s 260 c l?ttemperatur bei kolbenl?tung l?tstelle 3 2 mm vom geh?use, l?tzeit t 3 s iron soldering temperature 3 2 mm distance from case bottom t 3 s t s 300 c kollektor-emitterspannung collector-emitter voltage v ce 35 v kollektorstrom collector current i c 50 ma kollektorspitzenstrom, t < 10 m s collector surge current i cs 100 ma emitter-kollektorspannung emitter-collector voltage v ec 7v
semiconductor group 3 1999-02-04 sfh 300 sfh 300 fa verlustleistung, t a = 25 c total power dissipation p tot 200 mw w?rmewiderstand thermal resistance r thja 375 k/w kennwerte ( t a = 25 c, l = 950 nm) characteristics bezeichnung description symbol symbol wert value einheit unit sfh 300 sfh 300 fa wellenl?nge der max. fotoempfindlichkeit wavelength of max. sensitivity l s max 850 870 nm spektraler bereich der fotoempfindlichkeit s = 10 % von s max spectral range of sensitivity s = 10 % of s max l 420 ... 1130 730 ... 1120 nm bestrahlungsempfindliche fl?che radiant sensitive area a 0.12 0.12 mm 2 abmessung der chipfl?che dimensions of chip area l b l w 0.5 0.5 0.5 0.5 mm mm abstand chipoberfl?che zu geh?useober- fl?che distance chip front to case surface h 4.1 ... 4.7 4.1 ... 4.7 mm halbwinkel half angle j 25 25 grad deg. kapazit?t, v ec = 0 v, f = 1 mhz, e = 0 capacitance c ce 6.5 6.5 pf dunkelstrom dark current v ce = 35 v, e = 0 i ceo 5 ( 100) 5 ( 100) na grenzwerte maximum ratings (contd) bezeichnung description symbol symbol wert value einheit unit
semiconductor group 4 1999-02-04 sfh 300 sfh 300 fa die fototransistoren werden nach ihrer fotoempfindlichkeit gruppiert und mit arabischen ziffern gekennzeichnet. the phototransistors are grouped according to their spectral sensitivity and distinguished by arabian figures. 1) i pcemin ist der minimale fotostrom der jeweiligen gruppe 1) i pcemin is the min. photocurrent of the specified group bezeichnung description symbol symbol wert value einheit unit -2 -3 -4 fotostrom, l = 950 nm photocurrent e e = 0.5 mw/cm 2 , v ce = 5 v sfh 300: e v = 1000 ix, normlicht/standard light a, v ce = 5 v i pce i pce 0.63 ... 1.25 3.4 1 ... 2 5.4 3 1.6 8.6 ma ma anstiegszeit/abfallzeit rise and fall time i c = 1 ma, v cc = 5 v, r l = 1 k w t r , t f 7.5 10 10 m s kollektor-emitter-s?ttigungsspannung collector-emitter saturation voltage i c = i pcemin 1) 0.3, e e = 0.5 mw/cm 2 v cesat 130 140 150 mv
semiconductor group 5 1999-02-04 sfh 300 sfh 300 fa relative spectral sensitivity, sfh 300 s rel = f ( l ) photocurrent i pce / i pce25 o = f ( t a ), v ce = 5 v relative spectral sensitivity, sfh 300 fa s rel = f ( l ) photocurrent i pce = f ( e e ), v ce = 5 v dark current i ceo / i ceo25 o = f ( t a ), v ce = 25 v, e = 0 dark current i ceo = f ( v ce ), e = 0 collector-emitter capacitance c ce = f ( v ce ), f = 1 mhz, e = 0 directional characteristics s rel = f ( j )
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