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n netz-thyristor-modul phase control thyristor module datenblatt / data sheet TT430N bip ac / 22.11.1994; a. rther a 61/94 1/12 seite/page kenndaten elektrische eigenschaften TT430N td430n elektrische eigenschaften / electrical properties h?chstzul?ssige werte / maximum rated values periodische vorw?rts- und rckw?rts-spitzensperrspannung repetitive peak forward off-state and reverse voltages t vj = -40c... t vj max v drm ,v rrm 1800 2200 2000 2400 v v 1) vorw?rts-sto?spitzensperrspannung non-repetitive peak forward off-state voltage t vj = -40c... t vj max v dsm 1800 2200 2000 2400 v v rckw?rts-sto?spitzensperrspannung non-repetitive peak reverse voltage t vj = +25c... t vj max v rsm 1900 2300 2100 2500 v v durchla?strom-grenzeffektivwert maximum rms on-state current i trmsm 800 a dauergrenzstrom average on-state current t c = 85c t c = 75c i tavm 430 510 a a sto?strom-grenzwert surge current t vj = 25 c, t p = 10 ms t vj = t vj max , t p = 10 ms i tsm 14000 12000 a a grenzlastintegral i2t-value t vj = 25 c, t p = 10 ms t vj = t vj max , t p = 10 ms i2t 980000 720000 a2s a2s kritische stromsteilheit critical rate of rise of on-state current din iec 747-6 f = 50 hz, i gm = 1 a, di g /dt = 1 a/s (di t /dt) cr 150 a/s kritische spannungssteilheit critical rate of rise of off-state voltage t vj = t vj max , v d = 0,67 v drm 6.kennbuchstabe / 6 th letter c 6.kennbuchstabe / 6 th letter f (dv d /dt) cr 500 1000 v/s v/s charakteristische werte / characteristic values durchla?spannung on-state voltage t vj = t vj max , i t = 1500 a v t max. 1,78 v schleusenspannung threshold voltage t vj = t vj max v (to) 0,95 v ersatzwiderstand slope resistance t vj = t vj max r t 0,45 m ? zndstrom gate trigger current t vj = 25c, v d = 6 v i gt max. 250 ma zndspannung gate trigger voltage t vj = 25c, v d = 6 v v gt max. 2,2 v nicht zndender steuerstrom gate non-trigger current t vj = t vj max , v d = 6 v t vj = t vj max , v d = 0,5 v drm i gd max. max. 10 5 ma ma nicht zndende steuerspannung gate non-trigger voltage t vj = t vj max , v d = 0,5 v drm v gd max. 0,25 v haltestrom holding current t vj = 25c, v d = 6 v, r a = 5 ? i h max. 300 ma einraststrom latching current t vj = 25c, v d = 6 v, r gk 10 ? i gm = 1 a, di g /dt = 1 a/s, t g = 20 s i l max. 1500 ma vorw?rts- und rckw?rts-sperrstrom forward off-state and reverse current t vj = t vj max v d = v drm , v r = v rrm i d , i r max. 100 ma zndverzug gate controlled delay time din iec 747-6 t vj = 25 c,i gm = 1 a, di g /dt = 1 a/s t gd max. 4 s 1) 2400v auf anfrage/ 2400v on request prepared by: c.drilling date of publication: 19.12.02 approved by: j. novotny revision: 1
n netz-thyristor-modul phase control thyristor module datenblatt / data sheet TT430N bip ac / 22.11.1994; a. rther a 61/94 2/12 seite/page thermische eigenschaften mechanische eigenschaften elektrische eigenschaften / electrical properties charakteristische werte / characteristic values freiwerdezeit circuit commutated turn-off time t vj = t vj max , i tm = i tavm v rm = 100 v, v dm = 0,67 v drm dv d /dt = 20 v/s, -di t /dt = 10 a/s 5.kennbuchstabe / 5 th letter o t q typ. 300 s isolations-prfspannung insulation test voltage rms, f = 50 hz, t = 1 min rms, f = 50 hz, t = 1 sec v isol 3,0 3,6 kv kv thermische eigenschaften / thermal properties innerer w?rmewiderstand thermal resistance, junction to case pro modul / per module, = 180 sin pro zweig / per arm, = 180 sin pro modul / per module, dc pro zweig / per arm, dc r thjc max. max. max. max. 0,0325 0,0650 0,0310 0,0620 c/w c/w c/w c/w bergangs-w?rmewiderstand thermal resistance, case to heatsink pro modul / per module pro zweig / per arm r thch max. max. 0,01 0,02 c/w c/w h?chstzul?ssige sperrschichttemperatur maximum junction temperature t vj max 125 c betriebstemperatur operating temperature t c op -40...+125 c lagertemperatur storage temperature t stg -40...+130 c mechanische eigenschaften / mechanical properties geh?use, siehe anlage case, see annex seite 3 page 3 si-element mit druckkontakt si-pellet with pressure contact innere isolation internal insulation aln anzugsdrehmoment fr mechanische anschlsse mounting torque toleranz / tolerance 15% m1 6 nm anzugsdrehmoment fr elektrische anschlsse terminal connection torque toleranz / tolerance 10% m2 12 nm steueranschlsse control terminals din 46 244 a 2,8 x 0,8 gewicht weight g typ. 1500 g kriechstrecke creepage distance 19 mm schwingfestigkeit vibration resistance f = 50 hz 50 m/s2 file-no. e 83336 mit diesem datenblatt werden halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine eigenschaften zugesichert. es gilt in verbindung mit den zugeh?rigen technischen erl?uterungen. this data sheet specifies semiconductor devices, but promises no characteristics. it is valid in combination with the belonging technical notes.
n netz-thyristor-modul phase control thyristor module datenblatt / data sheet TT430N bip ac / 22.11.1994; a. rther a 61/94 3/12 seite/page ma?bild ma?bild ma?bild 12 3 tt 45 76 12 3 td 45
n netz-thyristor-modul phase control thyristor module datenblatt / data sheet TT430N bip ac / 22.11.1994; a. rther a 61/94 4/12 seite/page r,t ? werte di r,t-werte analytische elemente des transienten w?rmewiderstandes z thjc fr dc analytical elements of transient thermal impedance z thjc for dc pos. n1234567 r thn [c/w] 0,00137 0,00486 0,0114 0,0223 0,0221 n [s] 0,00076 0,0086 0,101 0,56 3,12 analytische funktion / analytical function: max n n=1 thn thjc n ? t - e 1 r z luftselbstkhlung / natural cooling 1 modul pro khlk?rper / 1 module per heatsink khlk?rper / heatsink type: km 17 (120w) analytische elemente des transienten w?rmewiderstandes z thca analytical elements of transient thermal impedance z thca pos. n1234567 r thn [c/w] 0,00944 0,0576 0,568 n [s] 2,61 28,1 1300 verst?rkte khlung / forced cooling 1 modul pro khlk?rper / 1 module per heatsink khlk?rper / heatsink type: km17 (papst 4650n) analytische elemente des transienten w?rmewiderstandes z thca analytical elements of transient thermal impedance z thca pos. n1234567 r thn [c/w] 0,0064 0,0566 0,168 n [s] 4,1 24,7 395 analytische funktion / analytical function: max n n=1 thn thca n ? t - e 1 r z
n netz-thyristor-modul phase control thyristor module datenblatt / data sheet TT430N bip ac / 22.11.1994; a. rther a 61/94 5/12 seite/page diagramme trans. w?rmewiderstand bei sinus trans. w?rmewidersta nd bei rechteck 0,000 0,020 0,040 0,060 0,080 0,01 0,1 1 10 100 t [s] 0 0 180 = 30 60 90 120 180 transienter innerer w?rmewiderstand je zweig / transient thermal impedance per arm z thjc = f(t) sinusf?rmiger strom / sinusoidal current parameter: stromflu?winkel / current conduction angle 0,000 0,020 0,040 0,060 0,080 0,001 0,01 0,1 1 10 100 t [s] = 30 60 90 120 180 dc 0 0 180 transienter innerer w?rmewiderstand je zweig / transient thermal impedance per arm z thjc = f(t) rechteckf?rmiger strom / rectangular current parameter: stromflu?winkel / current conduction angle
n netz-thyristor-modul phase control thyristor module datenblatt / data sheet TT430N bip ac / 22.11.1994; a. rther a 61/94 6/12 seite/page diagramme durchgangsverluste bei sinus durchgangsverluste bei rechteck 0 200 400 600 800 0 100 200 300 400 500 i tav [a] = 30 60 90 120 180 0 0 180 durchlassverlustleistung je zweig / on-state power loss per arm p tav = f(i tav ) sinusf?rmiger strom / sinusoidal current strombelastung je zweig / current load per arm berechnungsgrundlage p tav (schaltverluste gesondert bercksichtigen) calculation base p tav (switching losses should be considered separately) parameter: stromflu?winkel / current conduction angle 0 200 400 600 800 1000 1200 0 200 400 600 800 i tav [a] dc 180 120 90 60 = 30 0 0 180 durchlassverlustleistung je zweig / on-state power loss per arm p tav = f(i tav ) rechteckf?rmiger strom / rectangular current strombelastung je zweig / current load per arm berechnungsgrundlage p tav (schaltverluste gesondert bercksichtigen) calculation base p tav (switching losses should be considered separately) parameter: stromflu?winkel / current conduction angle
n netz-thyristor-modul phase control thyristor module datenblatt / data sheet TT430N bip ac / 22.11.1994; a. rther a 61/94 7/12 seite/page geh?usetemperatur bei sinus geh?usetemperatur bei rechteck 20 40 60 80 100 120 140 0 100 200 300 400 500 i tavm [a] = 30 60 90 120 180 0 0 180 h?chstzul?ssige geh?usetemperatur / maximum allowable case temperature t c = f(i tavm ) sinusf?rmiger strom / sinusoidal current strombelastung je zweig / current load per arm berechnungsgrundlage p tav (schaltverluste gesondert bercksichtigen) calculation base p tav (switching losses should be considered separately) parameter: stromflu?winkel / current conduction angle 20 40 60 80 100 120 140 0 200 400 600 800 i tavm [a] = 30 60 90 120 180 dc 0 0 180 h?chstzul?ssige geh?usetemperatur / maximum allowable case temperature t c = f(i tavm ) rechteckf?rmiger strom / rectangular current strombelastung je zweig / current load per arm berechnungsgrundlage p tav (schaltverluste gesondert bercksichtigen) calculation base p tav (switching losses should be considered separately) parameter: stromflu?winkel / current conduction angle
n netz-thyristor-modul phase control thyristor module datenblatt / data sheet TT430N bip ac / 22.11.1994; a. rther a 61/94 8/12 seite/page maximaler strom bei b2 und b6 0 500 1000 1500 2000 2500 3000 0 20406080100120 t a [c] r thca [c/w] 0,03 0 , 10 0 , 15 0,04 0,015 0 , 06 + - b2 i d ~ 0,01 0,02 0,08 0,20 0 , 30 0 200 400 600 800 1000 1200 i d [a] l-last l-load r-last r-load h?chstzul?ssiger ausgangsstrom / maximum rated output current i d b2- zweipuls-brckenschaltung / two-pulse bridge circuit gesamtverlustleistung der schaltung / total power dissipation at circuit p tot parameter: w?rmewiderstand zwischen den geh?usen und umgebung / thermal resistance cases to ambient r thca 0 1000 2000 3000 4000 0 20406080100120 t a [c] 0,03 0,04 0,025 0 , 20 0,01 + - b6 i d 3~ r thca [c/w] 0,15 0,40 0,015 0,10 0 , 06 , 0,02 0 200 400 600 800 1000 1200 1400 i d [a] h?chstzul?ssiger ausgangsstrom / maximum rated output current i d b6- sechspuls-brckenschaltung / six-pulse bridge circuit gesamtverlustleistung der schaltung / total power dissipation at circuit p tot parameter: w?rmewiderstand zwischen den geh?usen und umgebung / thermal resistance cases to ambient r thca
n netz-thyristor-modul phase control thyristor module datenblatt / data sheet TT430N bip ac / 22.11.1994; a. rther a 61/94 9/12 seite/page maximaler strom bei w1c und w3c 0 200 400 600 800 1000 1200 1400 1600 1800 0 20 40 60 80 100 120 t a [c] r thca [c/w] 0 , 30 0 , 20 0,01 0,02 0,03 0 , 06 0 , 08 0 , 10 0,15 ~ ~ i rms w 1c 0 , 40 0,04 0 , 60 0 200 400 600 800 1000 1200 i rms [a] h?chstzul?ssiger effektivstrom / maximum rated rms current i rms w1c - einphasen-wechselwegschaltung / single-phase inverse parallel circuit gesamtverlustleistung der schaltung / total power dissipation at circuit p tot parameter: w?rmewiderstand zwischen den geh?use und umgebung / thermal resistance case to ambient r thca 0 1000 2000 3000 4000 0 20406080100120 t a [c] r thca [c/w] 0 , 10 0,15 0,025 0 , 03 0,01 0,04 0 , 015 ~ ~ w 3c ~ ~ i rms ~ ~ 0,06 0 , 20 0,02 0 , 40 0 200 400 600 800 1000 1200 i rms [a] h?chstzul?ssiger effektivstrom / maximum rated rms current i rms w3c - dreiphasen-wechselwegschaltung / three-phase inverse parallel circuit gesamtverlustleistung der schaltung / total power dissipation at circuit p tot parameter: w?rmewiderstand zwischen den geh?usen und umgebung / thermal resistance cases to ambient r thca
n netz-thyristor-modul phase control thyristor module datenblatt / data sheet TT430N bip ac / 22.11.1994; a. rther a 61/94 10/12 seite/page steuercharakteristik zndverzug 0,1 1 10 100 10 100 1000 10000 i g [ma] a b c steuercharakteristik v g = f (i g ) mit zndbereichen fr v d = 6 v gate characteristic v g = f (i g ) with triggering area for v d = 6 v h?chstzul?ssige spitzensteuerverlustleistung / maximum rated peak gate power dissipation p gm = f (t g ) : a - 20 w/10ms b - 40 w/1ms c - 60 w/0,5ms 0,1 1 10 100 1000 100 1000 10000 i gm [ma] a b zndverzug / gate controlled delay time t gd = f(i g ) t vj = 25c, di g /dt = i gm /1s a - maximaler verlauf / limiting characteristic b - typischer verlauf / typical characteristic
n netz-thyristor-modul phase control thyristor module datenblatt / data sheet TT430N bip ac / 22.11.1994; a. rther a 61/94 11/12 seite/page sperrverz?gerungsladung grenzstrom 100 1000 10000 1 10 100 -di/dt [a/s] i tm = 2000a 500 a 20a 50a 100a 200a 1000a sperrverz?gerungsladung / recovered charge q r = f(-di/dt) t vj = t vjmax , v r 0,5 v rrm , v rm = 0,8 v rrm parameter: durchla?strom / on-state current i tm 0 2.000 4.000 6.000 8.000 10.000 0,01 0,1 1 t [s] b t a = 45c a t a = 35 c grenzstrom / maximum overload on-state current i t(ov)m = f(t), v rm = 0,8 v rrm a: leerlauf / no-load conditions b: nach belastung mit i tavm / after load with i tavm t a = 35c, verst?rkte luftkhlung / forced air cooling t a = 45c, luftselbstkhlung / natural air cooling
n netz-thyristor-modul phase control thyristor module datenblatt / data sheet TT430N bip ac / 22.11.1994; a. rther a 61/94 12/12 seite/page berstrom 0 1.000 2.000 3.000 4.000 5.000 0,01 0,1 1 10 100 1000 10000 t [s] i tav (vor) = 0 a 30 a 55 a 75 a 90 a 100 a berstrom je zweig / overload on-state current i t(ov) b6- sechspuls-brckenschaltung, 120 rechteck / six-pulse bridge circuit, 120 rectangular khlk?rper / heatsink type km 17 (120w) luftselbstkhlung bei / natural cooling at t a = 45c parameter: vorlaststrom je zweig / pre-load current per arm i tav(vor) 0 1.000 2.000 3.000 4.000 5.000 0,01 0,1 1 10 100 1000 10000 t [s] i tav (vor) = 0 a 85 a 140 a 180 a 210 a 230 a berstrom je zweig / overload on-state current i t(ov) b6- sechspuls-brckenschaltung, 120 rechteck / six-pulse bridge circuit, 120 rectangular khlk?rper / heatsink type km17 (papst 4650n) verst?rkte khlung bei / forced cooling at t a = 35c parameter: vorlaststrom je zweig / pre-load current per arm i tav(vor)

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