technische information / technical information netz-dioden-modul rectifier diode module dd b6u 145 n 12...18 (isopack) nb6 elektrische eigenschaften / electrical properties h?chstzul?ssige werte / maximum rated values periodische spitzensperrspannung t vj = - 40c...t vj max v rrm 1200, 1400 v repetitive peak reverse voltage 1600, 1800 v sto?spitzensperrspannung t vj = + 25c...t vj max v rsm 1300, 1500 v non-repetitive peak reverse voltage 1700, 1900 v durchla?strom-grenzeffektivwert (pro element) i frmsm 100 a rms forward current (per chip) ausgangsstrom t c = 100c i d 145 a output current t c = 84c 173 a t a = 45c, km 11 71 a t a = 45c, km 33 97 a t a = 35c, km 14 (v l = 45l/s) 153 a t a = 35c, km 33 (v l = 90l/s) 173 a sto?strom-grenzwert t vj = 25c, t s = 10ms i fsm 1200 a surge forward current t vj = t vj max , t p = 10ms 1000 a grenzlastintegral t vj = 25c, t s = 10ms i2t 7200 a2s i2t-value t vj = t vj max , t p = 10ms 5000 a2s charakteristische werte / characteristic values durchla?spannung t vj = t vj max , i f = 150a v f max. 1,43 v forward voltage schleusenspannung t vj = t vj max v (to) 0,75 v threshold voltage ersatzwiderstand t vj = t vj max r t 3,1 m w forward slope resistance sperrstrom t vj = t vj max, v r = v rrm i r max. 5 ma reverse current isolations-prfspannung rms, f = 50hz, t = 1min v isol 3,0 kv insulation test voltage rms, f = 50hz, t = 1sec 3,6 kv thermische eigenschaften / thermal properties innerer w?rmewiderstand pro modul / per module, q = 120rect r thjc max. 0,148 c/w thermal resistance, junction to case pro element / per chip, q = 120rect max. 0,890 c/w pro modul / per module, dc max. 0,167 c/w pro element / per chip, dc max. 0,700 c/w bergangs-w?rmewiderstand pro modul / per module r thck max. 0,033 c/w thermal resistance, case to heatsink pro element / per chip max. 0,200 c/w h?chstzul?ssige sperrschichttemperatur t vj max 150 c max. junction temperature betriebstemperatur t c op - 40...+150 c operating temperature lagertemperatur t stg - 40...+150 c storage temperature mod-e1; r. j?rke 09. feb 99 a /99 seite/page 1(6)
technische information / technical information netz-dioden-modul rectifier diode module dd b6u 145 n 12...18 (isopack) nb6 mechanische eigenschaften / mechanical properties geh?use, siehe anlage seite 3 case, see appendix page 3 si-elemente mit l?tkontakt, glaspassiviert si-pellets with soldered contact, glass-passivated innere isolation al 2 o 3 internal insulation anzugsdrehmoment fr mechanische befestigung toleranz / tolerance 15% m1 6 nm mounting torque anzugsdrehmoment fr elektrische anschlsse toleranz / tolerance +5% / -10% m2 4 nm terminal connection torque gewicht g typ. 220 g weight kriechstrecke 12,5 mm creepage distance schwingfestigkeit f = 50hz 50 m/s2 vibration resistance khlk?rper / heatsinks : km 11; km 14; km 17; km 33 mit dieser technischen information werden halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine eigenschaften zugesichert. sie gilt in verbindung mit den zugeh?rigen technischen erl?uterungen. / this technical information specifies semiconductor devices but promises no cha racteristics. it is valid in combination with the belonging technical notes. mod-e1; r. j?rke 09. feb 99 seite/page 2(6)
technische information / technical information netz-dioden-modul rectifier diode module dd b6u 145 n 12...18 (isopack) nb6 mod-e1; r. j?rke 09. feb 99 seite/page 3(6)
technische information / technical information netz-dioden-modul rectifier diode module dd b6u 145 n 12...18 (isopack) nb6 analytische elemente des transienten w?rmewiderstandes z thjc fr dc analytical elements of transient thermal impedance z thjc for dc pos. n 1234567 0,35500 0,24500 0,04100 0,05500 0,30200 0,03780 0,00900 0,00109 mod-e1; r. j?rke 09. feb 99 seite/page 4(6) [] rcw thn / [] t n s analytische funktion z r e thjc thn t n n n : max =- ? ? ? ? ? - = ? 1 1 t
technische information / technical information netz-dioden-modul rectifier diode module dd b6u 145 n 12...18 (isopack) nb6 transienter innerer w?rmewiderstand je zweig / transient thermal impedance per arm z thjc = f(t) parameter: stromflu?winkel / current conduction angle q mod-e1; r. j?rke 09. feb 99 seite/page 5(6) 120 rect dc 0,00 0,10 0,20 0,30 0,40 0,50 0,60 0,70 0,80 0,90 1,00 0,001 0,01 0,1 1 10 t [s] z thjc [c/w]
technische information / technical information netz-dioden-modul rectifier diode module dd b6u 145 n 12...18 (isopack) nb6 h?chstzul?ssige geh?usetemperatur / maximum allowable case temperatur t c = f(i d ) mod-e1; r. j?rke 09. feb 99 seite/page 6(6) 20 30 40 50 60 70 80 90 100 110 120 130 140 150 160 0 50 100 150 200 i d [a] t c [c]
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