1200vigbtmodulmitlowlossigbtder2.tengenerationundsofteremittercontrolleddiode 1200vigbtmodulewithlowlossigbtof2ndgenerationandsoftemittercontrolleddiode 1 technischeinformation/technicalinformation FZ800R12KL4C igbt-module igbt-modules preparedby:dts approvedby:ts dateofpublication:2013-10-02 revision:3.1 igbt,wechselrichter/igbt,inverter h?chstzul?ssigewerte/maximumratedvalues kollektor-emitter-sperrspannung collector-emittervoltage t vj = 25c t vj = 125c v ces 1200 1200 v kollektor-dauergleichstrom continuousdccollectorcurrent t c = 80c, t vj max = 150c t c = 25c, t vj max = 150c i c nom i c 800 1300 a a periodischerkollektor-spitzenstrom repetitivepeakcollectorcurrent t p = 1 ms i crm 1600 a gesamt-verlustleistung totalpowerdissipation t c = 25c, t vj max = 150 p tot 5,70 kw gate-emitter-spitzenspannung gate-emitterpeakvoltage v ges +/-20 v charakteristischewerte/characteristicvalues min. typ. max. kollektor-emitter-s?ttigungsspannung collector-emittersaturationvoltage i c = 800 a, v ge = 15 v i c = 800 a, v ge = 15 v v ce sat 2,10 2,40 2,60 2,90 v v t vj = 25c t vj = 125c gate-schwellenspannung gatethresholdvoltage i c = 32,0 ma, v ce = v ge , t vj = 25c v geth 4,5 5,5 6,5 v gateladung gatecharge v ge = -15 v ... +15 v q g 8,60 c internergatewiderstand internalgateresistor t vj = 25c r gint 1,3 w eingangskapazit?t inputcapacitance f = 1 mhz, t vj = 25c, v ce = 25 v, v ge = 0 v c ies 56,0 nf rckwirkungskapazit?t reversetransfercapacitance f = 1 mhz, t vj = 25c, v ce = 25 v, v ge = 0 v c res 3,60 nf kollektor-emitter-reststrom collector-emittercut-offcurrent v ce = 1200 v, v ge = 0 v, t vj = 25c i ces 5,0 ma gate-emitter-reststrom gate-emitterleakagecurrent v ce = 0 v, v ge = 20 v, t vj = 25c i ges 400 na einschaltverz?gerungszeit,induktivelast turn-ondelaytime,inductiveload i c = 800 a, v ce = 600 v v ge = 15 v r gon = 1,8 w t d on 0,27 0,29 s s t vj = 25c t vj = 125c anstiegszeit,induktivelast risetime,inductiveload i c = 800 a, v ce = 600 v v ge = 15 v r gon = 1,8 w t r 0,15 0,16 s s t vj = 25c t vj = 125c abschaltverz?gerungszeit,induktivelast turn-offdelaytime,inductiveload i c = 800 a, v ce = 600 v v ge = 15 v r goff = 1,8 w t d off 0,90 1,00 s s t vj = 25c t vj = 125c fallzeit,induktivelast falltime,inductiveload i c = 800 a, v ce = 600 v v ge = 15 v r goff = 1,8 w t f 0,09 0,10 s s t vj = 25c t vj = 125c einschaltverlustenergiepropuls turn-onenergylossperpulse i c = 800 a, v ce = 600 v, l s = 70 nh v ge = 15 v r gon = 1,8 w e on 120 mj mj t vj = 25c t vj = 125c abschaltverlustenergiepropuls turn-offenergylossperpulse i c = 800 a, v ce = 600 v, l s = 70 nh v ge = 15 v r goff = 1,8 w e off 125 mj mj t vj = 25c t vj = 125c kurzschlu?verhalten scdata v ge 15 v, v cc = 900 v v cemax = v ces -l sce di/dt i sc 6000 a t vj = 125c t p 10 s, w?rmewiderstand,chipbisgeh?use thermalresistance,junctiontocase proigbt/perigbt r thjc 22,0 k/kw w?rmewiderstand,geh?usebiskhlk?rper thermalresistance,casetoheatsink proigbt/perigbt l paste =1w/(mk)/ l grease =1w/(mk) r thch 9,00 k/kw temperaturimschaltbetrieb temperatureunderswitchingconditions t vj op -40 125 c
2 technischeinformation/technicalinformation FZ800R12KL4C igbt-module igbt-modules preparedby:dts approvedby:ts dateofpublication:2013-10-02 revision:3.1 diode,wechselrichter/diode,inverter h?chstzul?ssigewerte/maximumratedvalues periodischespitzensperrspannung repetitivepeakreversevoltage t vj = 25c t vj = 125c v rrm 1200 1200 v dauergleichstrom continuousdcforwardcurrent i f 800 a periodischerspitzenstrom repetitivepeakforwardcurrent t p = 1 ms i frm 1600 a grenzlastintegral i2t-value v r = 0 v, t p = 10 ms, t vj = 125c i2t 240 ka2s mindesteinschaltdauer minimumturn-ontime t on min 10,0 s charakteristischewerte/characteristicvalues min. typ. max. durchlassspannung forwardvoltage i f = 800 a, v ge = 0 v i f = 800 a, v ge = 0 v v f 1,80 1,70 2,30 2,20 v v t vj = 25c t vj = 125c rckstromspitze peakreverserecoverycurrent i f = 800 a, - di f /dt = 5700 a/s (t vj =125c) v r = 600 v v ge = -15 v i rm 550 740 a a t vj = 25c t vj = 125c sperrverz?gerungsladung recoveredcharge i f = 800 a, - di f /dt = 5700 a/s (t vj =125c) v r = 600 v v ge = -15 v q r 74,0 170 c c t vj = 25c t vj = 125c abschaltenergiepropuls reverserecoveryenergy i f = 800 a, - di f /dt = 5700 a/s (t vj =125c) v r = 600 v v ge = -15 v e rec 24,0 62,0 mj mj t vj = 25c t vj = 125c w?rmewiderstand,chipbisgeh?use thermalresistance,junctiontocase prodiode/perdiode r thjc 40,0 k/kw w?rmewiderstand,geh?usebiskhlk?rper thermalresistance,casetoheatsink prodiode/perdiode l paste =1w/(mk)/ l grease =1w/(mk) r thch 17,0 k/kw temperaturimschaltbetrieb temperatureunderswitchingconditions t vj op -40 125 c
3 technischeinformation/technicalinformation FZ800R12KL4C igbt-module igbt-modules preparedby:dts approvedby:ts dateofpublication:2013-10-02 revision:3.1 modul/module isolations-prfspannung isolationtestvoltage rms, f = 50 hz, t = 1 min v isol 2,5 kv innereisolation internalisolation basisisolierung(schutzklasse1,en61140) basicinsulation(class1,iec61140) al 2 o 3 kriechstrecke creepagedistance kontakt-khlk?rper/terminaltoheatsink kontakt-kontakt/terminaltoterminal 17,0 mm luftstrecke clearance kontakt-khlk?rper/terminaltoheatsink kontakt-kontakt/terminaltoterminal 10,0 mm vergleichszahlderkriechwegbildung comperativetrackingindex cti > 275 min. typ. max. w?rmewiderstand,geh?usebiskhlk?rper thermalresistance,casetoheatsink promodul/permodule l paste =1w/(mk)/ l grease =1w/(mk) r thch 6,00 k/kw modulstreuinduktivit?t strayinductancemodule l sce 12 nh modulleitungswiderstand,anschlsse- chip moduleleadresistance,terminals-chip t c =25c,proschalter/perswitch r cc'+ee' 0,19 m w lagertemperatur storagetemperature t stg -40 125 c anzugsdrehmomentf.modulmontage mountingtorqueformodulmounting schraubem6-montagegem.gltigerapplikationsschrift screwm6-mountingaccordingtovalidapplicationnote m 4,25 - 5,75 nm anzugsdrehmomentf.elektr.anschlsse terminalconnectiontorque schraubem4-montagegem.gltigerapplikationsschrift screwm4-mountingaccordingtovalidapplicationnote schraubem8-montagegem.gltigerapplikationsschrift screwm8-mountingaccordingtovalidapplicationnote m 1,7 8,0 - - 2,3 10 nm nm gewicht weight g 1500 g
4 technischeinformation/technicalinformation FZ800R12KL4C igbt-module igbt-modules preparedby:dts approvedby:ts dateofpublication:2013-10-02 revision:3.1 ausgangskennlinieigbt,wechselrichter(typisch) outputcharacteristicigbt,inverter(typical) i c =f(v ce ) v ge =15v v ce [v] i c [a] 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 0 200 400 600 800 1000 1200 1400 1600 t vj = 25c t vj = 125c ausgangskennlinienfeldigbt,wechselrichter(typisch) outputcharacteristicigbt,inverter(typical) i c =f(v ce ) t vj =125c v ce [v] i c [a] 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0 0 200 400 600 800 1000 1200 1400 1600 v ge = 17 v v ge = 15 v v ge = 13 v v ge = 11 v v ge = 9 v v ge = 7 v bertragungscharakteristikigbt,wechselrichter(typisch) transfercharacteristicigbt,inverter(typical) i c =f(v ge ) v ce =20v v ge [v] i c [a] 5 6 7 8 9 10 11 12 0 200 400 600 800 1000 1200 1400 1600 t vj = 25c t vj = 125c schaltverlusteigbt,wechselrichter(typisch) switchinglossesigbt,inverter(typical) e on =f(i c ),e off =f(i c ) v ge =15v,r gon =1.8 w ,r goff =1.8 w ,v ce =600v i c [a] e [mj] 0 200 400 600 800 1000 1200 1400 1600 0 50 100 150 200 250 300 350 e on , t vj = 125c e off , t vj = 125c
5 technischeinformation/technicalinformation FZ800R12KL4C igbt-module igbt-modules preparedby:dts approvedby:ts dateofpublication:2013-10-02 revision:3.1 schaltverlusteigbt,wechselrichter(typisch) switchinglossesigbt,inverter(typical) e on =f(r g ),e off =f(r g ) v ge =15v,i c =800a,v ce =600v r g [ w ] e [mj] 0 2 4 6 8 10 12 0 50 100 150 200 250 300 350 400 450 e on , t vj = 125c e off , t vj = 125c transienterw?rmewiderstandigbt,wechselrichter transientthermalimpedanceigbt,inverter z thjc =f(t) t [s] z thjc [k/kw] 0,001 0,01 0,1 1 10 0,1 1 10 100 z thjc : igbt i: r i [k/kw]: t i [s]: 1 7,7 0,02 2 7,7 0,06 3 4,4 0,1 4 2,2 0,3 sichererrckw?rts-arbeitsbereichigbt,wechselrichter (rbsoa) reversebiassafeoperatingareaigbt,inverter(rbsoa) i c =f(v ce ) v ge =15v,r goff =1.8 w ,t vj =125c v ce [v] i c [a] 0 200 400 600 800 1000 1200 1400 0 200 400 600 800 1000 1200 1400 1600 1800 i c , modul i c , chip durchlasskennliniederdiode,wechselrichter(typisch) forwardcharacteristicofdiode,inverter(typical) i f =f(v f ) v f [v] i f [a] 0,0 0,3 0,6 0,9 1,2 1,5 1,8 2,1 2,4 0 200 400 600 800 1000 1200 1400 1600 t vj = 25c t vj = 125c
6 technischeinformation/technicalinformation FZ800R12KL4C igbt-module igbt-modules preparedby:dts approvedby:ts dateofpublication:2013-10-02 revision:3.1 schaltverlustediode,wechselrichter(typisch) switchinglossesdiode,inverter(typical) e rec =f(i f ) r gon =1.8 w ,v ce =600v i f [a] e [mj] 0 200 400 600 800 1000 1200 1400 1600 0 10 20 30 40 50 60 70 80 e rec , t vj = 125c schaltverlustediode,wechselrichter(typisch) switchinglossesdiode,inverter(typical) e rec =f(r g ) i f =800a,v ce =600v r g [ w ] e [mj] 0 2 4 6 8 10 12 0 10 20 30 40 50 60 70 80 e rec , t vj = 125c transienterw?rmewiderstanddiode,wechselrichter transientthermalimpedancediode,inverter z thjc =f(t) t [s] z thjc [k/kw] 0,001 0,01 0,1 1 10 1 10 100 z thjc : diode i: r i [k/kw]: t i [s]: 1 14 0,02 2 14 0,06 3 8 0,1 4 4 0,3
7 technischeinformation/technicalinformation FZ800R12KL4C igbt-module igbt-modules preparedby:dts approvedby:ts dateofpublication:2013-10-02 revision:3.1 schaltplan/circuit_diagram_headline geh?useabmessungen/packageoutlines
8 technischeinformation/technicalinformation FZ800R12KL4C igbt-module igbt-modules preparedby:dts approvedby:ts dateofpublication:2013-10-02 revision:3.1 nutzungsbedingungen dieindiesemproduktdatenblattenthaltenendatensindausschlie?lichfrtechnischgeschultesfachpersonalbestimmt.diebeurteilung dereignungdiesesproduktesfrihreanwendungsowiediebeurteilungdervollst?ndigkeitderbereitgestelltenproduktdatenfrdiese anwendungobliegtihnenbzw.ihrentechnischenabteilungen. indiesemproduktdatenblattwerdendiejenigenmerkmalebeschrieben,frdiewireineliefervertraglichegew?hrleistungbernehmen.eine solchegew?hrleistungrichtetsichausschlie?lichnachma?gabederimjeweiligenliefervertragenthaltenenbestimmungen.garantien jeglicherartwerdenfrdasproduktunddesseneigenschaftenkeinesfallsbernommen.dieangabenindengltigenanwendungs-und montagehinweisendesmodulssindzubeachten. solltensievonunsproduktinformationenben?tigen,dieberdeninhaltdiesesproduktdatenblattshinausgehenundinsbesondereeine spezifischeverwendungunddeneinsatzdiesesproduktesbetreffen,setzensiesichbittemitdemfrsiezust?ndigenvertriebsbroin verbindung(siehewww.infineon.com,vertrieb&kontakt).frinteressentenhaltenwirapplicationnotesbereit. aufgrunddertechnischenanforderungenk?nnteunserproduktgesundheitsgef?hrdendesubstanzenenthalten.beirckfragenzudenin diesemproduktjeweilsenthaltenensubstanzensetzensiesichbitteebenfallsmitdemfrsiezust?ndigenvertriebsbroinverbindung. solltensiebeabsichtigen,dasproduktinanwendungenderluftfahrt,ingesundheits-oderlebensgef?hrdendenoderlebenserhaltenden anwendungsbereicheneinzusetzen,bittenwirummitteilung.wirweisendaraufhin,dasswirfrdiesef?lle -diegemeinsamedurchfhrungeinesrisiko-undqualit?tsassessments; -denabschlussvonspeziellenqualit?tssicherungsvereinbarungen; -diegemeinsameeinfhrungvonma?nahmenzueinerlaufendenproduktbeobachtungdringendempfehlenund gegebenenfallsdiebelieferungvonderumsetzungsolcherma?nahmenabh?ngigmachen. soweiterforderlich,bittenwirsie,entsprechendehinweiseanihrekundenzugeben. inhaltliche?nderungendiesesproduktdatenblattsbleibenvorbehalten. terms&conditionsofusage thedatacontainedinthisproductdatasheetisexclusivelyintendedfortechnicallytrainedstaff.youandyourtechnicaldepartmentswill havetoevaluatethesuitabilityoftheproductfortheintendedapplicationandthecompletenessoftheproductdatawithrespecttosuch application. thisproductdatasheetisdescribingthecharacteristicsofthisproductforwhichawarrantyisgranted.anysuchwarrantyisgranted exclusivelypursuantthetermsandconditionsofthesupplyagreement.therewillbenoguaranteeofanykindfortheproductandits characteristics.theinformationinthevalidapplication-andassemblynotesofthemodulemustbeconsidered. shouldyourequireproductinformationinexcessofthedatagiveninthisproductdatasheetorwhichconcernsthespecificapplicationof ourproduct,pleasecontactthesalesoffice,whichisresponsibleforyou(seewww.infineon.com).forthosethatarespecifically interestedwemayprovideapplicationnotes. duetotechnicalrequirementsourproductmaycontaindangeroussubstances.forinformationonthetypesinquestionpleasecontactthe salesoffice,whichisresponsibleforyou. shouldyouintendtousetheproductinaviationapplications,inhealthorliveendangeringorlifesupportapplications,pleasenotify.please note,thatforanysuchapplicationsweurgentlyrecommend -toperformjointriskandqualityassessments; -theconclusionofqualityagreements; -toestablishjointmeasuresofanongoingproductsurvey,andthatwemaymakedeliverydependedon therealizationofanysuchmeasures. ifandtotheextentnecessary,pleaseforwardequivalentnoticestoyourcustomers. changesofthisproductdatasheetarereserved.
|
