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1 technischeinformation/technicalinformation f3l15r12w2h3_b27 igbt-module igbt-modules preparedby:cm approvedby:mb dateofpublication:2013-11-25 revision:2.0 ulapproved(e83335) vorl?ufigedaten/preliminarydata v ces = 1200v i c nom = 15a / i crm = 30a typischeanwendungen typicalapplications ? ? 3-level-applikationen 3-level-applications ? ? solaranwendungen solarapplications elektrischeeigenschaften electricalfeatures ? ? niederinduktivesdesign lowinductivedesign ? ? niedrigeschaltverluste lowswitchinglosses ? ? niedrigesv cesat lowv cesat mechanischeeigenschaften mechanicalfeatures ? ? al 2 o 3 substrat mit kleinem thermischen widerstand al 2 o 3 substratewithlowthermalresistance ? ? kompaktesdesign compactdesign ? ? pressfitverbindungstechnik pressfitcontacttechnology ? ? robuste montage durch integrierte befestigungsklammern rugged mounting due to integrated mounting clamps modulelabelcode barcodecode128 dmx-code contentofthecode digit moduleserialnumber 1-5 modulematerialnumber 6-11 productionordernumber 12-19 datecode(productionyear) 20-21 datecode(productionweek) 22-23 j
2 technischeinformation/technicalinformation f3l15r12w2h3_b27 igbt-module igbt-modules preparedby:cm approvedby:mb dateofpublication:2013-11-25 revision:2.0 vorl?ufigedaten preliminarydata igbt,wechselrichter/igbt,inverter h?chstzul?ssigewerte/maximumratedvalues kollektor-emitter-sperrspannung collector-emittervoltage t vj = 25c v ces 1200 v kollektor-dauergleichstrom continuousdccollectorcurrent t c = 100c, t vj max = 175c t c = 25c, t vj max = 175c i c nom i c 15 20 a a periodischerkollektor-spitzenstrom repetitivepeakcollectorcurrent t p = 1 ms i crm 30 a gesamt-verlustleistung totalpowerdissipation t c = 25c, t vj max = 175c p tot 145 w gate-emitter-spitzenspannung gate-emitterpeakvoltage v ges +/-20 v charakteristischewerte/characteristicvalues min. typ. max. kollektor-emitter-s?ttigungsspannung collector-emittersaturationvoltage i c = 15 a, v ge = 15 v i c = 15 a, v ge = 15 v i c = 15 a, v ge = 15 v v ce sat 2,05 2,50 2,60 2,40 v v v t vj = 25c t vj = 125c t vj = 150c gate-schwellenspannung gatethresholdvoltage i c = 0,50 ma, v ce = v ge , t vj = 25c v geth 5,0 5,8 6,5 v gateladung gatecharge v ge = -15 v ... +15 v q g 0,075 c internergatewiderstand internalgateresistor t vj = 25c r gint 0,0 w eingangskapazit?t inputcapacitance f = 1 mhz, t vj = 25c, v ce = 25 v, v ge = 0 v c ies 0,875 nf rckwirkungskapazit?t reversetransfercapacitance f = 1 mhz, t vj = 25c, v ce = 25 v, v ge = 0 v c res 0,045 nf kollektor-emitter-reststrom collector-emittercut-offcurrent v ce = 1200 v, v ge = 0 v, t vj = 25c i ces 1,0 ma gate-emitter-reststrom gate-emitterleakagecurrent v ce = 0 v, v ge = 20 v, t vj = 25c i ges 100 na einschaltverz?gerungszeit,induktivelast turn-ondelaytime,inductiveload i c = 15 a, v ce = 350 v v ge = 15 v r gon = 35 w t d on 0,04 0,04 0,04 s s s t vj = 25c t vj = 125c t vj = 150c anstiegszeit,induktivelast risetime,inductiveload i c = 15 a, v ce = 350 v v ge = 15 v r gon = 35 w t r 0,025 0,026 0,027 s s s t vj = 25c t vj = 125c t vj = 150c abschaltverz?gerungszeit,induktivelast turn-offdelaytime,inductiveload i c = 15 a, v ce = 350 v v ge = 15 v r goff = 35 w t d off 0,27 0,31 0,32 s s s t vj = 25c t vj = 125c t vj = 150c fallzeit,induktivelast falltime,inductiveload i c = 15 a, v ce = 350 v v ge = 15 v r goff = 35 w t f 0,02 0,03 0,035 s s s t vj = 25c t vj = 125c t vj = 150c einschaltverlustenergiepropuls turn-onenergylossperpulse i c = 15 a, v ce = 350 v, l s = 30 nh v ge = 15 v, di/dt = 700 a/s (t vj = 150c) r gon = 35 w e on 0,40 0,60 0,64 mj mj mj t vj = 25c t vj = 125c t vj = 150c abschaltverlustenergiepropuls turn-offenergylossperpulse i c = 15 a, v ce = 350 v, l s = 30 nh v ge = 15 v, du/dt = 2800 v/s (t vj = 150c) r goff = 35 w e off 0,37 0,53 0,54 mj mj mj t vj = 25c t vj = 125c t vj = 150c kurzschlu?verhalten scdata v ge 15 v, v cc = 800 v v cemax = v ces -l sce di/dt i sc 48 a t vj = 150c t p 10 s, w?rmewiderstand,chipbisgeh?use thermalresistance,junctiontocase proigbt/perigbt r thjc 0,95 1,05 k/w w?rmewiderstand,geh?usebiskhlk?rper thermalresistance,casetoheatsink proigbt/perigbt l paste =1w/(mk)/ l grease =1w/(mk) r thch 0,80 k/w temperaturimschaltbetrieb temperatureunderswitchingconditions t vj op -40 150 c j
3 technischeinformation/technicalinformation f3l15r12w2h3_b27 igbt-module igbt-modules preparedby:cm approvedby:mb dateofpublication:2013-11-25 revision:2.0 vorl?ufigedaten preliminarydata diode,wechselrichter/diode,inverter h?chstzul?ssigewerte/maximumratedvalues periodischespitzensperrspannung repetitivepeakreversevoltage t vj = 25c v rrm 1200 v dauergleichstrom continuousdcforwardcurrent i f 15 a periodischerspitzenstrom repetitivepeakforwardcurrent t p = 1 ms i frm 50 a grenzlastintegral i2t-value v r = 0 v, t p = 10 ms, t vj = 125c v r = 0 v, t p = 10 ms, t vj = 150c i2t 40,0 34,0 a2s a2s charakteristischewerte/characteristicvalues min. typ. max. durchlassspannung forwardvoltage i f = 15 a, v ge = 0 v i f = 15 a, v ge = 0 v i f = 15 a, v ge = 0 v v f 1,75 1,75 1,75 2,15 v v v t vj = 25c t vj = 125c t vj = 150c rckstromspitze peakreverserecoverycurrent i f = 15 a, - di f /dt = 1300 a/s (t vj =150c) v r = 350 v v ge = -15 v i rm 36,0 38,0 38,0 a a a t vj = 25c t vj = 125c t vj = 150c sperrverz?gerungsladung recoveredcharge i f = 15 a, - di f /dt = 1300 a/s (t vj =150c) v r = 350 v v ge = -15 v q r 1,05 2,10 2,40 c c c t vj = 25c t vj = 125c t vj = 150c abschaltenergiepropuls reverserecoveryenergy i f = 15 a, - di f /dt = 1300 a/s (t vj =150c) v r = 350 v v ge = -15 v e rec 0,40 0,66 0,70 mj mj mj t vj = 25c t vj = 125c t vj = 150c w?rmewiderstand,chipbisgeh?use thermalresistance,junctiontocase prodiode/perdiode r thjc 1,30 1,45 k/w w?rmewiderstand,geh?usebiskhlk?rper thermalresistance,casetoheatsink prodiode/perdiode l paste =1w/(mk)/ l grease =1w/(mk) r thch 1,05 k/w temperaturimschaltbetrieb temperatureunderswitchingconditions t vj op -40 150 c j
4 technischeinformation/technicalinformation f3l15r12w2h3_b27 igbt-module igbt-modules preparedby:cm approvedby:mb dateofpublication:2013-11-25 revision:2.0 vorl?ufigedaten preliminarydata igbt,3-level/igbt,3-level h?chstzul?ssigewerte/maximumratedvalues kollektor-emitter-sperrspannung collector-emittervoltage t vj = 25c v ces 650 v implementierterkollektor-strom implementedcollectorcurrent i cn 30 a kollektor-dauergleichstrom continuousdccollectorcurrent t c = 100c, t vj max = 175c t c = 25c, t vj max = 175c i c nom i c 15 25 a a periodischerkollektor-spitzenstrom repetitivepeakcollectorcurrent t p = 1 ms i crm 60 a gesamt-verlustleistung totalpowerdissipation t c = 25c, t vj max = 175c p tot 150 w gate-emitter-spitzenspannung gate-emitterpeakvoltage v ges +/-20 v charakteristischewerte/characteristicvalues min. typ. max. kollektor-emitter-s?ttigungsspannung collector-emittersaturationvoltage i c = 15 a, v ge = 15 v i c = 15 a, v ge = 15 v i c = 15 a, v ge = 15 v v ce sat 1,20 1,25 1,25 1,45 v v v t vj = 25c t vj = 125c t vj = 150c gate-schwellenspannung gatethresholdvoltage i c = 0,30 ma, v ce = v ge , t vj = 25c v geth 4,9 5,8 6,5 v gateladung gatecharge v ge = -15 v ... +15 v q g 0,30 c internergatewiderstand internalgateresistor t vj = 25c r gint 0,0 w eingangskapazit?t inputcapacitance f = 1 mhz, t vj = 25c, v ce = 25 v, v ge = 0 v c ies 1,65 nf rckwirkungskapazit?t reversetransfercapacitance f = 1 mhz, t vj = 25c, v ce = 25 v, v ge = 0 v c res 0,051 nf kollektor-emitter-reststrom collector-emittercut-offcurrent v ce = 650 v, v ge = 0 v, t vj = 25c i ces 1,0 ma gate-emitter-reststrom gate-emitterleakagecurrent v ce = 0 v, v ge = 20 v, t vj = 25c i ges 100 na einschaltverz?gerungszeit,induktivelast turn-ondelaytime,inductiveload i c = 15 a, v ce = 350 v v ge = 15 v r gon = 15 w t d on 0,035 0,035 0,035 s s s t vj = 25c t vj = 125c t vj = 150c anstiegszeit,induktivelast risetime,inductiveload i c = 15 a, v ce = 350 v v ge = 15 v r gon = 15 w t r 0,01 0,012 0,013 s s s t vj = 25c t vj = 125c t vj = 150c abschaltverz?gerungszeit,induktivelast turn-offdelaytime,inductiveload i c = 15 a, v ce = 350 v v ge = 15 v r goff = 15 w t d off 0,34 0,38 0,39 s s s t vj = 25c t vj = 125c t vj = 150c fallzeit,induktivelast falltime,inductiveload i c = 15 a, v ce = 350 v v ge = 15 v r goff = 15 w t f 0,045 0,07 0,075 s s s t vj = 25c t vj = 125c t vj = 150c einschaltverlustenergiepropuls turn-onenergylossperpulse i c = 15 a, v ce = 350 v, l s = 40 nh v ge = 15 v, di/dt = 1300 a/s (t vj = 150c) r gon = 15 w e on 0,19 0,26 0,28 mj mj mj t vj = 25c t vj = 125c t vj = 150c abschaltverlustenergiepropuls turn-offenergylossperpulse i c = 15 a, v ce = 350 v, l s = 40 nh v ge = 15 v, du/dt = 2600 v/s (t vj = 150c) r goff = 15 w e off 0,47 0,60 0,64 mj mj mj t vj = 25c t vj = 125c t vj = 150c kurzschlu?verhalten scdata v ge 15 v, v cc = 360 v v cemax = v ces -l sce di/dt i sc 210 150 a a t vj = 25c t vj = 150c t p 8 s, t p 6 s, w?rmewiderstand,chipbisgeh?use thermalresistance,junctiontocase proigbt/perigbt r thjc 0,90 1,00 k/w j
5 technischeinformation/technicalinformation f3l15r12w2h3_b27 igbt-module igbt-modules preparedby:cm approvedby:mb dateofpublication:2013-11-25 revision:2.0 vorl?ufigedaten preliminarydata w?rmewiderstand,geh?usebiskhlk?rper thermalresistance,casetoheatsink proigbt/perigbt l paste =1w/(mk)/ l grease =1w/(mk) r thch 0,85 k/w temperaturimschaltbetrieb temperatureunderswitchingconditions t vj op -40 150 c diode,3-level/diode,3-level h?chstzul?ssigewerte/maximumratedvalues periodischespitzensperrspannung repetitivepeakreversevoltage t vj = 25c v rrm 650 v dauergleichstrom continuousdcforwardcurrent i f 15 a periodischerspitzenstrom repetitivepeakforwardcurrent t p = 1 ms i frm 30 a grenzlastintegral i2t-value v r = 0 v, t p = 10 ms, t vj = 125c v r = 0 v, t p = 10 ms, t vj = 150c i2t 32,0 28,0 a2s a2s charakteristischewerte/characteristicvalues min. typ. max. durchlassspannung forwardvoltage i f = 15 a, v ge = 0 v i f = 15 a, v ge = 0 v i f = 15 a, v ge = 0 v v f 1,45 1,35 1,30 t.b.d. v v v t vj = 25c t vj = 125c t vj = 150c rckstromspitze peakreverserecoverycurrent i f = 15 a, - di f /dt = 700 a/s (t vj =150c) v r = 350 v i rm 13,0 15,0 16,0 a a a t vj = 25c t vj = 125c t vj = 150c sperrverz?gerungsladung recoveredcharge i f = 15 a, - di f /dt = 700 a/s (t vj =150c) v r = 350 v q r 0,60 1,00 1,15 c c c t vj = 25c t vj = 125c t vj = 150c abschaltenergiepropuls reverserecoveryenergy i f = 15 a, - di f /dt = 700 a/s (t vj =150c) v r = 350 v e rec 0,12 0,18 0,22 mj mj mj t vj = 25c t vj = 125c t vj = 150c w?rmewiderstand,chipbisgeh?use thermalresistance,junctiontocase prodiode/perdiode r thjc 1,95 2,15 k/w w?rmewiderstand,geh?usebiskhlk?rper thermalresistance,casetoheatsink prodiode/perdiode l paste =1w/(mk)/ l grease =1w/(mk) r thch 1,35 k/w temperaturimschaltbetrieb temperatureunderswitchingconditions t vj op -40 150 c ntc-widerstand/ntc-thermistor charakteristischewerte/characteristicvalues min. typ. max. nennwiderstand ratedresistance t c = 25c r 25 5,00 k w abweichungvonr100 deviationofr100 t c = 100c, r 100 = 493 w d r/r -5 5 % verlustleistung powerdissipation t c = 25c p 25 20,0 mw b-wert b-value r 2 = r 25 exp [b 25/50 (1/t 2 - 1/(298,15 k))] b 25/50 3375 k b-wert b-value r 2 = r 25 exp [b 25/80 (1/t 2 - 1/(298,15 k))] b 25/80 3411 k b-wert b-value r 2 = r 25 exp [b 25/100 (1/t 2 - 1/(298,15 k))] b 25/100 3433 k angabengem??gltigerapplicationnote. specificationaccordingtothevalidapplicationnote. j
6 technischeinformation/technicalinformation f3l15r12w2h3_b27 igbt-module igbt-modules preparedby:cm approvedby:mb dateofpublication:2013-11-25 revision:2.0 vorl?ufigedaten preliminarydata modul/module isolations-prfspannung isolationtestvoltage rms, f = 50 hz, t = 1 min. v isol 2,5 kv innereisolation internalisolation basisisolierung(schutzklasse1,en61140) basicinsulation(class1,iec61140) al 2 o 3 kriechstrecke creepagedistance kontakt-khlk?rper/terminaltoheatsink kontakt-kontakt/terminaltoterminal 13,5 7,5 mm luftstrecke clearance kontakt-khlk?rper/terminaltoheatsink kontakt-kontakt/terminaltoterminal 12,0 7,5 mm vergleichszahlderkriechwegbildung comperativetrackingindex cti > 200 min. typ. max. modulstreuinduktivit?t strayinductancemodule l sce 25 nh lagertemperatur storagetemperature t stg -40 125 c anpresskraft fr mech. bef. pro feder mountig force per clamp f 40 - 80 n gewicht weight g 36 g j
7 technischeinformation/technicalinformation f3l15r12w2h3_b27 igbt-module igbt-modules preparedby:cm approvedby:mb dateofpublication:2013-11-25 revision:2.0 vorl?ufigedaten preliminarydata ausgangskennlinieigbt,wechselrichter(typisch) outputcharacteristicigbt,inverter(typical) i c =f(v ce ) v ge =15v v ce [v] i c [a] 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 0 3 6 9 12 15 18 21 24 27 30 t vj = 25c t vj = 125c t vj = 150c ausgangskennlinienfeldigbt,wechselrichter(typisch) outputcharacteristicigbt,inverter(typical) i c =f(v ce ) t vj =150c v ce [v] i c [a] 0,0 1,0 2,0 3,0 4,0 5,0 0 3 6 9 12 15 18 21 24 27 30 v ge = 19v v ge = 17v v ge = 15v v ge = 13v v ge = 11v v ge = 9v bertragungscharakteristikigbt,wechselrichter(typisch) transfercharacteristicigbt,inverter(typical) i c =f(v ge ) v ce =20v v ge [v] i c [a] 5 6 7 8 9 10 11 12 0 5 10 15 20 25 30 t vj = 25c t vj = 125c t vj = 150c schaltverlusteigbt,wechselrichter(typisch) switchinglossesigbt,inverter(typical) e on =f(i c ),e off =f(i c ) v ge =15v,r gon =35 w ,r goff =35 w ,v ce =350v i c [a] e [mj] 0 3 6 9 12 15 18 21 24 27 30 0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 2,2 2,4 e on , t vj = 125c e off , t vj = 125c e on , t vj = 150c e off , t vj = 150c j
8 technischeinformation/technicalinformation f3l15r12w2h3_b27 igbt-module igbt-modules preparedby:cm approvedby:mb dateofpublication:2013-11-25 revision:2.0 vorl?ufigedaten preliminarydata schaltverlusteigbt,wechselrichter(typisch) switchinglossesigbt,inverter(typical) e on =f(r g ),e off =f(r g ) v ge =15v,i c =15a,v ce =350v r g [ w ] e [mj] 0 20 40 60 80 100 120 140 160 180 200 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 e on , t vj = 125c e off , t vj = 125c e on , t vj = 150c e off , t vj = 150c transienterw?rmewiderstandigbt,wechselrichter transientthermalimpedanceigbt,inverter z thjh =f(t) t [s] z thjh [k/w] 0,001 0,01 0,1 1 10 0,1 1 10 z thjh : igbt i: r i [k/w]: t i [s]: 1 0,129 0,0005 2 0,286 0,005 3 0,718 0,05 4 0,617 0,2 sichererrckw?rts-arbeitsbereichigbt,wechselrichter (rbsoa) reversebiassafeoperatingareaigbt,inverter(rbsoa) i c =f(v ce ) v ge =15v,r goff =35 w ,t vj =150c v ce [v] i c [a] 0 200 400 600 800 1000 1200 1400 0 5 10 15 20 25 30 35 40 i c , modul i c , chip durchlasskennliniederdiode,wechselrichter(typisch) forwardcharacteristicofdiode,inverter(typical) i f =f(v f ) v f [v] i f [a] 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 0 3 6 9 12 15 18 21 24 27 30 t vj = 25c t vj = 125c t vj = 150c j
9 technischeinformation/technicalinformation f3l15r12w2h3_b27 igbt-module igbt-modules preparedby:cm approvedby:mb dateofpublication:2013-11-25 revision:2.0 vorl?ufigedaten preliminarydata schaltverlustediode,wechselrichter(typisch) switchinglossesdiode,inverter(typical) e rec =f(i f ) r gon =15 w ,v ce =350v i f [a] e [mj] 0 5 10 15 20 25 30 0,0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7 0,8 0,9 1,0 e rec , t vj = 125c e rec , t vj = 150c schaltverlustediode,wechselrichter(typisch) switchinglossesdiode,inverter(typical) e rec =f(r g ) i f =15a,v ce =350v r g [ w ] e [mj] 0 15 30 45 60 75 90 105 120 135 150 0,0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7 0,8 0,9 1,0 e rec , t vj = 125c e rec , t vj = 150c transienterw?rmewiderstanddiode,wechselrichter transientthermalimpedancediode,inverter z thjh =f(t) t [s] z thjh [k/w] 0,001 0,01 0,1 1 10 0,1 1 10 z thjh : diode i: r i [k/w]: t i [s]: 1 0,312 0,0005 2 0,512 0,005 3 0,904 0,05 4 0,622 0,2 ausgangskennlinieigbt,3-level(typisch) outputcharacteristicigbt,3-level(typical) i c =f(v ce ) v ge =15v v ce [v] i c [a] 0,00 0,25 0,50 0,75 1,00 1,25 1,50 1,75 2,00 0,0 2,5 5,0 7,5 10,0 12,5 15,0 17,5 20,0 22,5 25,0 27,5 30,0 t vj = 25c t vj = 125c t vj = 150c j
10 technischeinformation/technicalinformation f3l15r12w2h3_b27 igbt-module igbt-modules preparedby:cm approvedby:mb dateofpublication:2013-11-25 revision:2.0 vorl?ufigedaten preliminarydata ausgangskennlinienfeldigbt,3-level(typisch) outputcharacteristicigbt,3-level(typical) i c =f(v ce ) t vj =150c v ce [v] i c [a] 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 0 5 10 15 20 25 30 v ge = 19v v ge = 17v v ge = 15v v ge = 13v v ge = 11v v ge = 9v bertragungscharakteristikigbt,3-level(typisch) transfercharacteristicigbt,3-level(typical) i c =f(v ge ) v ce =20v v ge [v] i c [a] 5 6 7 8 9 10 11 0 5 10 15 20 25 30 t vj = 25c t vj = 125c t vj = 150c schaltverlusteigbt,3-level(typisch) switchinglossesigbt,3-level(typical) e on =f(i c ),e off =f(i c ) v ge =15v,r gon =15 w ,r goff =15 w ,v ce =350v i c [a] e [mj] 0 5 10 15 20 25 30 0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 e on , t vj = 125c e off , t vj = 125c e on , t vj = 150c e off , t vj = 150c schaltverlusteigbt,3-level(typisch) switchinglossesigbt,3-level(typical) e on =f(r g ),e off =f(r g ) v ge =15v,i c =15a,v ce =350v r g [ w ] e [mj] 0 15 30 45 60 75 90 105 120 135 150 0,00 0,25 0,50 0,75 1,00 1,25 1,50 1,75 2,00 e on , t vj = 125c e off , t vj = 125c e on , t vj = 150c e off , t vj = 150c j
11 technischeinformation/technicalinformation f3l15r12w2h3_b27 igbt-module igbt-modules preparedby:cm approvedby:mb dateofpublication:2013-11-25 revision:2.0 vorl?ufigedaten preliminarydata transienterw?rmewiderstandigbt,3-level transientthermalimpedanceigbt,3-level z thjh =f(t) t [s] z thjh [k/w] 0,001 0,01 0,1 1 10 0,1 1 10 z thjh : igbt i: r i [k/w]: t i [s]: 1 0,142 0,0005 2 0,309 0,005 3 0,719 0,05 4 0,58 0,2 sichererrckw?rts-arbeitsbereichigbt,3-level(rbsoa) reversebiassafeoperatingareaigbt,3-level(rbsoa) i c =f(v ce ) v ge =15v,r goff =15 w ,t vj =150c v ce [v] i c [a] 0 100 200 300 400 500 600 700 0 5 10 15 20 25 30 35 40 i c , modul i c , chip durchlasskennliniederdiode,3-level(typisch) forwardcharacteristicofdiode,3-level(typical) i f =f(v f ) v f [v] i f [a] 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 0 3 6 9 12 15 18 21 24 27 30 t vj = 25c t vj = 125c t vj = 150c schaltverlustediode,3-level(typisch) switchinglossesdiode,3-level(typical) e rec =f(i f ) r gon =35 w ,v ce =350v i f [a] e [mj] 0 5 10 15 20 25 30 0,00 0,05 0,10 0,15 0,20 0,25 0,30 e rec , t vj = 125c e rec , t vj = 150c j
12 technischeinformation/technicalinformation f3l15r12w2h3_b27 igbt-module igbt-modules preparedby:cm approvedby:mb dateofpublication:2013-11-25 revision:2.0 vorl?ufigedaten preliminarydata schaltverlustediode,3-level(typisch) switchinglossesdiode,3-level(typical) e rec =f(r g ) i f =15a,v ce =350v r g [ w ] e [mj] 0 30 60 90 120 150 180 210 240 270 300 0,00 0,05 0,10 0,15 0,20 0,25 0,30 e rec , t vj = 125c e rec , t vj = 150c transienterw?rmewiderstanddiode,3-level transientthermalimpedancediode,3-level z thjh =f(t) t [s] z thjh [k/w] 0,001 0,01 0,1 1 10 0,1 1 10 z thjh : diode i: r i [k/w]: t i [s]: 1 0,3013 0,0005 2 0,7006 0,005 3 1,3873 0,05 4 0,9109 0,2 ntc-widerstand-temperaturkennlinie(typisch) ntc-thermistor-temperaturecharacteristic(typical) r=f(t) t c [c] r[ w ] 0 20 40 60 80 100 120 140 160 100 1000 10000 100000 r typ j
13 technischeinformation/technicalinformation f3l15r12w2h3_b27 igbt-module igbt-modules preparedby:cm approvedby:mb dateofpublication:2013-11-25 revision:2.0 vorl?ufigedaten preliminarydata schaltplan/circuit_diagram_headline geh?useabmessungen/packageoutlines j j infineon
14 technischeinformation/technicalinformation f3l15r12w2h3_b27 igbt-module igbt-modules preparedby:cm approvedby:mb dateofpublication:2013-11-25 revision:2.0 vorl?ufigedaten preliminarydata nutzungsbedingungen dieindiesemproduktdatenblattenthaltenendatensindausschlie?lichfrtechnischgeschultesfachpersonalbestimmt.diebeurteilung dereignungdiesesproduktesfrihreanwendungsowiediebeurteilungdervollst?ndigkeitderbereitgestelltenproduktdatenfrdiese anwendungobliegtihnenbzw.ihrentechnischenabteilungen. indiesemproduktdatenblattwerdendiejenigenmerkmalebeschrieben,frdiewireineliefervertraglichegew?hrleistungbernehmen.eine solchegew?hrleistungrichtetsichausschlie?lichnachma?gabederimjeweiligenliefervertragenthaltenenbestimmungen.garantien jeglicherartwerdenfrdasproduktunddesseneigenschaftenkeinesfallsbernommen.dieangabenindengltigenanwendungs-und montagehinweisendesmodulssindzubeachten. solltensievonunsproduktinformationenben?tigen,dieberdeninhaltdiesesproduktdatenblattshinausgehenundinsbesondereeine spezifischeverwendungunddeneinsatzdiesesproduktesbetreffen,setzensiesichbittemitdemfrsiezust?ndigenvertriebsbroin verbindung(siehewww.infineon.com,vertrieb&kontakt).frinteressentenhaltenwirapplicationnotesbereit. aufgrunddertechnischenanforderungenk?nnteunserproduktgesundheitsgef?hrdendesubstanzenenthalten.beirckfragenzudenin diesemproduktjeweilsenthaltenensubstanzensetzensiesichbitteebenfallsmitdemfrsiezust?ndigenvertriebsbroinverbindung. solltensiebeabsichtigen,dasproduktinanwendungenderluftfahrt,ingesundheits-oderlebensgef?hrdendenoderlebenserhaltenden anwendungsbereicheneinzusetzen,bittenwirummitteilung.wirweisendaraufhin,dasswirfrdiesef?lle -diegemeinsamedurchfhrungeinesrisiko-undqualit?tsassessments; -denabschlussvonspeziellenqualit?tssicherungsvereinbarungen; -diegemeinsameeinfhrungvonma?nahmenzueinerlaufendenproduktbeobachtungdringendempfehlenund gegebenenfallsdiebelieferungvonderumsetzungsolcherma?nahmenabh?ngigmachen. soweiterforderlich,bittenwirsie,entsprechendehinweiseanihrekundenzugeben. inhaltliche?nderungendiesesproduktdatenblattsbleibenvorbehalten. terms&conditionsofusage thedatacontainedinthisproductdatasheetisexclusivelyintendedfortechnicallytrainedstaff.youandyourtechnicaldepartmentswill havetoevaluatethesuitabilityoftheproductfortheintendedapplicationandthecompletenessoftheproductdatawithrespecttosuch application. thisproductdatasheetisdescribingthecharacteristicsofthisproductforwhichawarrantyisgranted.anysuchwarrantyisgranted exclusivelypursuantthetermsandconditionsofthesupplyagreement.therewillbenoguaranteeofanykindfortheproductandits characteristics.theinformationinthevalidapplication-andassemblynotesofthemodulemustbeconsidered. shouldyourequireproductinformationinexcessofthedatagiveninthisproductdatasheetorwhichconcernsthespecificapplicationof ourproduct,pleasecontactthesalesoffice,whichisresponsibleforyou(seewww.infineon.com).forthosethatarespecifically interestedwemayprovideapplicationnotes. duetotechnicalrequirementsourproductmaycontaindangeroussubstances.forinformationonthetypesinquestionpleasecontactthe salesoffice,whichisresponsibleforyou. shouldyouintendtousetheproductinaviationapplications,inhealthorliveendangeringorlifesupportapplications,pleasenotify.please note,thatforanysuchapplicationsweurgentlyrecommend -toperformjointriskandqualityassessments; -theconclusionofqualityagreements; -toestablishjointmeasuresofanongoingproductsurvey,andthatwemaymakedeliverydependedon therealizationofanysuchmeasures. ifandtotheextentnecessary,pleaseforwardequivalentnoticestoyourcustomers. changesofthisproductdatasheetarereserved. j j infineon

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